[发明专利]气体分流组件和具有其的晶体生长装置有效
申请号: | 202111547069.2 | 申请日: | 2021-12-16 |
公开(公告)号: | CN114411249B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 |
发明(设计)人: | 李向阳;陈俊宏 | 申请(专利权)人: | 中环领先(徐州)半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
主分类号: | C30B27/00 | 分类号: | C30B27/00;C30B27/02 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵静 |
地址: | 221004 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体 分流 组件 具有 晶体生长 装置 | ||
本发明公开了一种气体分流组件和具有其的晶体生长装置,晶体生长装置还包括炉体,炉体形成有保护气进口,气体分流组件适于设于炉体内且位于保护气进口的下游侧,气体分流组件包括多个分流件,多个分流件沿气流流向间隔排布,每个分流件包括多个支撑框和多个散风筋组,支撑框为环形,多个支撑框沿炉体的径向依次套设设置,每组散风筋组包括沿炉体的周向间隔设置的散风筋,相邻两个支撑框之间通过一组散风筋组相连,每个散风筋的两端分别与相应的两个支撑框相连。根据本发明的气体分流组件,可以使得流至炉体内的保护气气流较为均匀、稳定,以保证晶体生长的固液界面处的温度梯度较为稳定,提升晶体品质。
技术领域
本发明涉及晶体生长技术领域,尤其是涉及一种气体分流组件和具有其的晶体生长装置。
背景技术
相关技术中,单晶炉在运行过程中,需要采用保护气保证炉体内部氛围;然而,保护气流在通入炉体时,常出现气流不均匀或紊流的问题,容易影响炉体内固液界面处的温度梯度,同时难以实现氧化硅等杂质的有效排除,导致晶体品质欠佳。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提出一种气体分流组件,所述气体分流组件可以使得流至炉体内的保护气气流较为均匀、稳定,以保证晶体生长的固液界面处的温度梯度较为稳定,提升晶体品质。
本发明还提出一种具有上述气体分流组件的晶体生长装置。
根据本发明第一方面实施例的气体分流组件,所述气体分流组件用于晶体生长装置,所述晶体生长装置还包括炉体,所述炉体形成有保护气进口,所述气体分流组件适于设于所述炉体内且位于所述保护气进口的下游侧,所述气体分流组件包括:多个分流件,多个所述分流件沿气流流向间隔排布,每个所述分流件包括多个支撑框和多个散风筋组,所述支撑框为环形,多个所述支撑框沿所述炉体的径向依次套设设置,每组所述散风筋组包括多个沿所述炉体的周向间隔设置的散风筋,相邻两个所述支撑框之间通过一组所述散风筋组相连,每个所述散风筋的两端分别与相应的两个所述支撑框相连。
根据本发明实施例的气体分流组件,通过设置气流分流组件包括多个分流件,并使得分流件包括多个支撑框和多个散风筋组,便于气体分流组件将流至炉体内的保护气进行分散,使得流至炉体内的保护气气流较为均匀、稳定,便于保证晶体生长的固液界面处的温度梯度较为稳定、保证固液界面的形状较为稳定,同时有利于氧化硅等杂质平稳、顺畅地被保护气带走以便充分实现杂质排除,从而提高晶体的生长品质。
在一些实施例中,至少两组相邻所述散风筋组的所述散风筋的数量相同,且所述至少两组相邻所述散风筋组的所述散风筋一一对应相连;和/或,至少两组相邻所述散风筋组的所述散风筋沿所述炉体的周向错位设置。
在一些实施例中,至少两个相邻所述分流件的所述支撑框沿所述炉体的径向错位设置;和/或,至少两个相邻所述分流件的所述散风筋组的所述散风筋沿所述炉体的周向错位设置。
在一些实施例中,相邻两个所述支撑框和相邻两个所述散风筋共同限定出分流孔,沿所述气流流向,至少两个相邻所述分流件的所述分流孔的分布密度增大。
在一些实施例中,多个所述分流件包括沿所述气流流向依次设置的第一分流件、第二分流件和第三分流件,所述第二分流件的所述分流孔的分布密度大于所述第一分流件的所述分流孔的分布密度,所述第二分流件和所述第三分流件之间的间距大于所述第二分流件和所述第一分流件之间的间距。
在一些实施例中,所述气体分流组件还包括:限位调节模块,所述限位调节模块用于调节至少一个所述分流件在所述气流方向上的位置;和/或,用于调节至少一个所述分流件的所述散风筋在所述支撑框的周向上的位置。
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