[发明专利]存储系统和存储系统的操作方法

说明书

本发明公开了一种存储系统和存储系统的操作方法。一种存储系统，包括：地址加扰器，适于基于加扰规则对地址进行加扰以生成加扰地址；存储器核，包括多个存储单元并且适于在由加扰地址指定的存储单元中存储数据；以及加扰控制电路，适于响应于攻击条件的满足而改变加扰规则。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年12月22日提交的美国非正式专利申请第63/129,094号的优先权，其整体内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的各实施方式涉及一种存储系统。

背景技术

随着存储器的集成度增加，存储器中包括的多条字线之间的间距减小。随着字线间距的减小，相邻字线之间的耦合效应增加。

此外，每当数据输入到存储单元或从存储单元输出时，字线在激活状态和非激活状态之间切换。随着相邻字线之间的耦合效应增加，耦接到与频繁激活的字线相邻地设置的字线的存储单元中的数据可能被损坏。这种现象被称为行锤击。由于在存储单元被刷新之前存储单元的数据因字线干扰而损坏，因此可能存在问题。

图1是描述行锤击的示意图并且示出了存储器中包括的单元阵列的一部分。

在图1中，WLL可以对应于激活次数多的字线(行线)，并且WLL-1和WLL+1可以是与WLL相邻设置的字线，即与激活次数多的字线相邻设置的字线。此外，CL可以表示耦接到WLL的存储单元，而CL-1可以表示耦接到WLL-1的存储单元，并且CL+1可以表示耦接到WLL+1的存储单元。每个存储单元可以包括单元晶体管TL、TL-1和TL+1以及单元电容器CAPL、CAPL-1和CAPL+1。

当WLL在图1中被激活或去激活时，由于WLL与WLL-1和WLL+1之间发生的耦合效应，WLL-1和WLL+1的电压会上升或下降，这也会影响单元电容器CAPL-1和CAPL+1中的电荷量。因此，当WLL频繁激活并且WLL在激活状态和去激活状态之间切换时，CL-1和CL+1中包括的单元电容器CAPL-1和CAPL+1中存储的电荷量的改变可能增加并且存储单元中的数据可能劣化。

此外，在字线在激活状态和去激活状态之间切换时生成的电磁波可能通过将电子引入到耦接到相邻字线的存储单元的单元电容器中或从单元电容器中泄漏电子而损坏数据。

作为解决行锤击问题的一种方法，主要使用检测已多次激活的行(字线)并且刷新已多次激活的行的相邻行的方法。

发明内容

本发明的实施方式涉及一种用于提高存储系统对行锤击攻击的防御能力的技术。

根据本发明的一个实施方式，一种存储系统包括：地址加扰器，适于基于加扰规则对地址进行加扰以生成加扰地址；存储器核，包括多个存储单元并且适于在由加扰地址指定的存储单元中存储数据；以及加扰控制电路，适于响应攻击条件的满足而改变加扰规则。

根据本发明的另一实施方式，一种用于操作存储系统的方法包括：根据第一加扰规则对地址进行加扰以产生第一加扰地址；基于第一加扰地址访问存储器核；确定存储器核的攻击条件得以满足；将第一加扰规则改变为第二加扰规则；根据第二加扰规则对地址进行加扰以产生第二加扰地址；以及基于第二加扰地址访问存储器核。

根据本发明的另一实施方式，一种用于操作控制器的方法包括：检测存储器件内的存储器核上的行锤击；在检测到时改变加扰规则；以及根据通过改变的加扰规则所加扰的地址来控制存储器件访问存储器核。

附图说明

图1是描述行锤击的示意图。

图2是示出根据本发明的一个实施方式的存储系统的框图。

图3是示出根据本发明的另一实施方式的存储系统的框图。

图4是描述根据本发明的实施方式的图2所示的存储系统的操作的流程图。