[发明专利]纳米钯片负载妥珠单抗的纳米复合体、制备方法及其在制备治疗炎症相关性贫血药物的应用

权利要求书

1.一种纳米钯片负载妥珠单抗的纳米复合体的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1.将纳米钯片与巯基丙酸混合，孵育3-3.5小时，巯基丙酸的加入量为200-300μL/mg纳米钯片；离心并洗涤沉淀后，将沉淀再次分散，然后加入1-(3-二甲基氨基丙基)-3-乙基碳二亚胺和N-羟基丁二酰亚胺，孵育1-1.5小时，1-(3-二甲基氨基丙基)-3-乙基碳二亚胺、N-羟基丁二酰亚胺和巯基丙酸的体积比为(2-3):(2-3):8；再加入NH₂-PEG并孵育3-3.5小时，NH₂-PEG与纳米钯片的质量比为(4-6):3；将离心得到的沉淀进行超滤、洗涤并重新分散得到PEG修饰的纳米钯片；

S2.将步骤S1得到的PEG修饰的纳米钯片与妥珠单抗混合，孵育过夜，PEG修饰的纳米钯片与妥珠单抗的质量比为(1-2):1；离心、洗涤并重悬沉淀，得到纳米钯片负载妥珠单抗的纳米复合体。

2.根据权利要求1所述的一种纳米钯片负载妥珠单抗的纳米复合体的制备方法，其特征在于：步骤S1中，离心条件为12000-13000g离心8-10分钟。

3.根据权利要求1所述的一种纳米钯片负载妥珠单抗的纳米复合体的制备方法，其特征在于：步骤S1中，1-(3-二甲基氨基丙基)-3-乙基碳二亚胺、N-羟基丁二酰亚胺和巯基丙酸的体积比为5:5:16。

4.根据权利要求1所述的一种纳米钯片负载妥珠单抗的纳米复合体的制备方法，其特征在于：步骤S2中，离心条件为14000-15000rpm离心60-70分钟。

5.一种权利要求1-4任一所述制备方法制备得到的纳米钯片负载妥珠单抗的纳米复合体。

6.一种权利要求5所述纳米钯片负载妥珠单抗的纳米复合体在制备治疗炎症相关性贫血药物的应用。