[发明专利]存储控制器及存储芯片在审
申请号: | 202111565027.1 | 申请日: | 2021-12-20 |
公开(公告)号: | CN116301563A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 胡俊刚;卢中舟;宋思宪 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F9/30 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 孟霞 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 控制器 芯片 | ||
1.一种存储控制器,其特征在于,包括:
存储器,用于存储指令集,所述指令集包括转移类指令和位操作类指令;
控制器,与所述存储器电性连接,用于调用、译码及执行所述指令集中的至少一个指令,以生成对应的执行数据;以及
控制寄存器组,与所述控制器电性连接,用于存储并根据所述执行数据控制至少一个存储单元的读擦写操作。
2.根据权利要求1所述的存储控制器,其特征在于,所述控制寄存器组包括读控制寄存器,所述读控制寄存器与所述控制器电性连接,所述读控制寄存器用于控制所述至少一个存储单元的读操作。
3.根据权利要求2所述的存储控制器,其特征在于,所述读控制寄存器包括:
读使能操作位,用于控制是否进行读操作;
读电压启动操作位,用于控制是否启动所述至少一个存储单元的读电压;
读准备结束操作位,用于控制是否结束所述至少一个存储单元的读准备操作;
读预处理操作位,用于控制是否进行所述至少一个存储单元的读预处理操作;以及
读单位控制位,用于控制是否对存储单元进行读操作。
4.根据权利要求1所述的存储控制器,其特征在于,所述控制寄存器组包括写控制寄存器,所述写控制寄存器与所述控制器电性连接,所述写控制寄存器用于控制所述至少一个存储单元的写操作。
5.根据权利要求4所述的存储控制器,其特征在于,所述写控制寄存器包括:
写使能操作位,用于控制是否进行写操作;
写电压启动操作位,用于控制是否启动所述至少一个存储单元的写电压;
写准备结束操作位,用于控制是否结束所述至少一个存储单元的写准备操作;
写预处理操作位,用于控制是否进行所述至少一个存储单元的写预处理操作;
写单位控制位,用于控制是否对存储单元进行写操作;
第一编程状态使能位,用于控制是否进行第一编程状态;
第二编程状态使能位,用于控制是否进行第二编程状态;以及
第三编程状态使能位,用于控制是否进行第三编程状态。
6.根据权利要求1所述的存储控制器,其特征在于,所述控制寄存器组包括擦控制寄存器,所述擦控制寄存器与所述控制器电性连接,所述擦控制寄存器用于控制所述至少一个存储单元的擦操作。
7.根据权利要求6所述的存储控制器,其特征在于,所述擦控制寄存器包括:
擦使能操作位,用于控制是否进行擦操作;
擦电压启动操作位,用于控制是否启动所述至少一个存储单元的擦电压;
擦准备结束操作位,用于控制是否结束所述至少一个存储单元的擦准备操作;
擦预处理操作位,用于控制是否进行所述至少一个存储单元的擦预处理操作;
擦单位控制位,用于控制是否对存储单元进行擦操作;
第一擦除状态使能位,用于控制是否进行第一擦除状态;
第二擦除状态使能位,用于控制是否进行第二擦除状态;以及
第三擦除状态使能位,用于控制是否进行第三擦除状态。
8.根据权利要求1所述的存储控制器,其特征在于,所述控制寄存器组包括过擦除校正控制寄存器,所述过擦除校正控制寄存器与所述控制器电性连接,所述过擦除校正控制寄存器用于控制所述至少一个存储单元的过擦除校正操作。
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