[发明专利]存储控制器及存储芯片在审

专利信息
申请号: 202111565027.1 申请日: 2021-12-20
公开(公告)号: CN116301563A 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 胡俊刚;卢中舟;宋思宪 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F9/30
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 孟霞
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 存储 控制器 芯片
【说明书】:

发明公开了一种存储控制器及存储芯片,该存储控制器包括存储器、控制器以及控制寄存器组,控制器通过执行转移类指令将指令从存储器中取出,并进行译码和执行所取到的指令以得到执行数据,再通过位操作类指令可以将生成的对应执行数据写入到控制寄存器组,然后控制寄存器组根据执行数据并结合模拟电路和/或硬件逻辑电路可以对存储单元进行读擦写操作,在此过程中,控制器可以仅采用两种类型的指令且不需要进行对应的数据运算,不仅减少了指令类型,也减少了控制器的运行负荷,能够提高控制器的运行效率。

技术领域

本发明涉及存储技术领域,具体涉及一种存储控制器及存储芯片。

背景技术

传统技术方案中存储芯片的控制器通常通过专用电路实现读、写以及擦除操作,但是基于专用电路实现的算法固定,若需要更改算法,则需要调整对应的专用电路,因此,其不便于升级读擦写算法,也不便于升级存储容量。

又,传统技术方案中存储芯片的控制器需要运算数据即数据传送、算术操作以及逻辑操作,对应的需要设置数据传送类指令、算术操作类指令以及逻辑操作类指令,这增加了控制器的运行负荷以及指令种类。

需要注意的是,上述关于背景技术的介绍仅仅是为了便于清楚、完整地理解本发明的技术方案。因此,不能仅仅由于其出现在本发明的背景技术中,而认为上述所涉及到的技术方案为本领域所属技术人员所公知。

发明内容

本发明提供一种存储控制器及存储芯片,以缓解存储控制器中需要运算数据导致其指令类型较多及运行负荷增加的技术问题。

第一方面,本发明提供一种存储控制器,其包括存储器、控制器以及控制寄存器组,存储器用于存储指令集,指令集包括转移类指令和位操作类指令;控制器与存储器电性连接,用于调用、译码及执行指令集中的至少一个指令,以生成对应的执行数据;控制寄存器组与控制器电性连接,用于存储并根据执行数据控制至少一个存储单元的读擦写操作。

在其中一些实施方式中,控制寄存器组包括读控制寄存器,读控制寄存器与控制器电性连接,读控制寄存器用于控制至少一个存储单元的读操作。

在其中一些实施方式中,读控制寄存器包括读使能操作位、读电压启动操作位、读准备结束操作位、读预处理操作位以及读单位控制位,读使能操作位用于控制是否进行读操作;读电压启动操作位用于控制是否启动至少一个存储单元的读电压;读准备结束操作位用于控制是否结束至少一个存储单元的读准备操作;读预处理操作位用于控制是否进行至少一个存储单元的读预处理操作;读单位控制位用于控制是否对存储单元进行读操作。

在其中一些实施方式中,控制寄存器组包括写控制寄存器,写控制寄存器与控制器电性连接,写控制寄存器用于控制至少一个存储单元的写操作。

在其中一些实施方式中,写控制寄存器包括写使能操作位、写电压启动操作位、写准备结束操作位、写预处理操作位、写单位控制位、第一编程状态使能位、第二编程状态使能位以及第三编程状态使能位,写使能操作位用于控制是否进行写操作;写电压启动操作位用于控制是否启动至少一个存储单元的写电压;写准备结束操作位用于控制是否结束至少一个存储单元的写准备操作;写预处理操作位用于控制是否进行至少一个存储单元的写预处理操作;写单位控制位用于控制是否对存储单元进行写操作;第一编程状态使能位用于控制是否进行第一编程状态;第二编程状态使能位用于控制是否进行第二编程状态;第三编程状态使能位用于控制是否进行第三编程状态。

在其中一些实施方式中,控制寄存器组包括擦控制寄存器,擦控制寄存器与控制器电性连接,擦控制寄存器用于控制至少一个存储单元的擦操作。

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