[发明专利]芯片失效分析的样品制备方法及样品制备设备

权利要求书

1.一种芯片失效分析的样品制备方法，待处理芯片具有正面以及与所述正面相对的背面，其特征在于，所述方法包括：

若待处理芯片尺寸过小，先将待处理芯片固定于承载片上，然后采用定位设备，确定待处理芯片中裸片的背面的边缘位置；然后采用物理研磨方式，对待处理芯片的背面进行研磨，研磨至裸片的背面的边缘位置，直至得到暴露出所述待处理芯片中裸片的背面和芯片引线截面的处理后的芯片，所述芯片引线截面的直径为13um-15um范围内的任一值；所述待处理芯片的封装形式为QFP形式，且所述待处理芯片中引线数量大于8根；

将所述处理后的芯片的正面固定在固定板上；

采用预设的焊线机，基于配置的焊线调试参数，通过目标导线将所述芯片引线截面与分析电路板电连接；其中，所述目标导线的直径为0.4 mil-0.5mil范围内的任一值；所述焊线调试参数包括：30~40ms的焊接时长、190~210mA的焊接电流、10~14g的焊接压力、25~35mA的电子火焰熄灭操作电流、34~38um的焊球尺寸和120-140℃的焊接温度；

采用预设的焊线机，基于配置的焊线调试参数，通过目标导线将所述芯片引线截面与分析电路板电连接，包括：

通过预设的焊线机采用所述焊接电流，对所述焊球尺寸的目标导线进行所述电子火焰熄灭操作电流值的电子火焰熄灭操作，所述目标导线在脱离所述焊线机的焊针顶端时形成无空气球并在所述焊接压力、所述焊接时长和所述焊接温度，以及预设超声波能量的共同作用下，将所述目标导线的一端焊接到所述芯片引线截面，以及将所述目标导线的另一端焊接到所述分析电路板上。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片引线截面的直径为15um。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述芯片引线截面的材料为铜、金、银和铝中的一种。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设的焊线机的焊针口径为15um。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标导线的直径为0.5mil。

6.如权利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述目标导线的材料为含金量为99%，含铂量为1%的金线。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用物理研磨方式，对待处理芯片的背面进行研磨，研磨至裸片的背面的边缘位置，包括：

采用100目的砂纸进行一次研磨，研磨至与所述边缘位置预设距离；

采用2500目的砂纸进行二次研磨，研磨至所述裸片的背面的边缘位置。

8.一种样品制备设备，其特征在于，所述设备包括处理器、通信接口、存储器和通信总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过通信总线完成相互间的通信；

存储器，用于存放计算机程序；

处理器，用于执行存储器上所存储的程序时，实现权利要求1-7任一所述的方法步骤。