[发明专利]WAT的测量方法在审
| 申请号： | 202111567754.1 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN114355157A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 陈俊池;李旭东;孟文艳;韩斌 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | wat 测量方法 | ||
1.一种WAT的测量方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供测试机台、PSMU仪以及需检测的器件，所述器件形成于晶圆上，所述晶圆上还形成有多个测试键，且每个所述测试键上形成有多个焊盘，每个所述焊盘与不同所述器件相对应；
步骤二、根据所述焊盘的排列方式得到焊盘排列数据，根据所述焊盘排列数据确定多组待测试组，所述待测试组用于做并行测试；
步骤三、根据多组所述待测试组在所述晶圆上的位置得到多组地址分组数据；
步骤四、将每组所述地址分组数据分别输入至所述PSMU仪中不同的PSMU；
步骤五、同时对多组所述待测试组进行检测。
2.根据权利要求1所述的WAT的测量方法，其特征在于：步骤二中的多个所述焊盘的排列方式包括所述焊盘的排列间距。
3.根据权利要求2所述的WAT的测量方法，其特征在于：每个所述测试键上包括十二个所述焊盘。
4.根据权利要求1所述的WAT的测量方法，其特征在于：步骤一中的所述器件为电阻。
5.根据权利要求1所述的WAT的测量方法，其特征在于：步骤一中的所述器件为金属氧化物晶体管的源极、漏极和栅极。
6.根据权利要求1所述的WAT的测量方法，其特征在于：步骤一中的所述器件为电容。
7.根据权利要求1所述的WAT的测量方法，其特征在于：步骤五中的所述同时对多组所述待测试组进行检测的方法包括：利用步骤四中的所述地址分组数据将探针与每组所述待测试组中的所述焊盘连接；同时对每组所述待测试组中的所述焊盘施加电压进行测试；得到多组所述待测试组的数据。
8.根据权利要求1至7任一项所述的WAT的测量方法，其特征在于：所述多组待测试组中每组所述待测试组位于同一所述测试键；不同所述待测试组无共用的所述焊盘。
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