[发明专利]一种改善Flip chip bump桥接的制造方法

权利要求书

1.一种改善Flipchipbump桥接的制造方法，其特征在于，包括：

S1：获取倒装芯片的基板在生产过程中的变化情况，基于所述变化情况确定出目标凸点的定位直径；

S2：基于所述定位直径和凸点位置，确定出目标焊接范围；

S3：基于所述目标焊接范围生成网状覆盖物，利用所述网状覆盖物进行回流焊接，形成初始目标凸点；

S4：记录所述初始目标凸点的降温过程，基于所述降温过程获得对应的最优降温速率；

S5：基于所述最优降温速率，调整环境温度；

S1：获取倒装芯片的基板在生产过程中的变化情况，基于所述变化情况确定出目标凸点的定位直径，包括：

S101：采集倒装芯片的基板在生成过程中的第一视频；

S102：基于所述第一视频，构建所述基板在生产过程中的三维动态模型；

S103：分析所述三维动态模型，获取所述基板的出厂变化参数；

S104：基于所述出厂变化参数，确定出目标凸点的定位直径，包括：

当第一出厂变化参数和第二出厂变化参数中存在正数时，则判定所述基板为胀态，并基于所述第一出厂变化参数和所述第二出厂变化参数中为正数的值确定出定位直径调整值，将所述定位直径调整值和预设定位直径的和作为所述目标凸点的定位直径；

否则，判断所述第一出厂变化参数和所述第二出厂变化参数是否存在负数，若是，则判定所述基板为缩态，并基于所述第一出厂变化参数和所述第二出厂变化参数中为负数的值确定出定位直径调整值，将预设定位直径和所述定位直径调整值的差值作为所述目标凸点的定位直径；

否则，将预设定位直径作为所述目标凸点的定位直径；

其中，最优降温速率即为使得凸点最大程度保持原始形状的降温速率。

2.根据权利要求1所述的一种改善Flipchipbump桥接的制造方法，其特征在于，S102：基于所述第一视频，构建所述基板在生产过程中的三维动态模型，包括：

提取所述基板在所述第一视频中每一帧图像中的所有第一边缘线段；

按照第一预设确定规则，确定出所述第一边缘线段中的所有第一追踪点；

按照所述第一视频中每一帧图像的顺序，对所述第一追踪点进行追踪排序，获得每个第一追踪点对应的第一追踪轨迹；

确定所述第一视频中第一帧图像中的基板图像区域；

确定出所述基板图像区域中每个像素点的视觉参数，基于所述视觉参数和预设划分规则，将所述基板图像区域划分为多个追踪区域；

确定出所述追踪区域对应的第二边缘线段；

按照第二预设确定规则，确定出所述第二边缘线段中的所有第二追踪点；

按照所述第一视频中每一帧图像的顺序，对所述第二追踪点进行追踪排序，获得每个第二追踪点对应的第二追踪轨迹；

按照第三预设确定规则，确定出所述追踪区域中的第三追踪点；

按照所述第一视频中每一帧图像的顺序，对所述第三追踪点进行追踪排序，获得每个追踪区域的对应的第三追踪轨迹；

获得与所述第二追踪点重合的第三追踪点对应的第三追踪轨迹与对应第二追踪点对应的第二追踪轨迹之间的第一偏差；

基于所述第一偏差调整所述第二追踪轨迹，获得第二校正轨迹；

获得与所述第一追踪点重合的第二追踪点对应的第二校正轨迹与对应的第一追踪点对应的第一追踪轨迹之间的第二偏差；

基于所述第二偏差调整所述第一追踪轨迹，获得第一校正轨迹；

基于所述第一帧图像中的第一边缘线段和基板预设三维结构，构建基本的初始静态模型；

确定出所述初始静态模型中与所述第一追踪点对应的第一目标追踪点，并将每个第一追踪点对应的第一校正轨迹与所述第一目标追踪点一一对应；

基于所述初始静态模型和所述第一目标追踪点对应的第一校正轨迹，生成所述基板在生产过程中的三维动态模型。