[发明专利]一种改善Flip chip bump桥接的制造方法

说明书

本发明提供了一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，包括：S1：获取倒装芯片的基板在生产过程中的变化情况，基于所述变化情况确定出目标凸点的定位直径；S2：基于所述定位直径和凸点位置，确定出目标焊接范围；S3：基于所述目标焊接范围生成网状覆盖物，利用所述网状覆盖物进行回流焊接，形成初始目标凸点；S4：记录所述初始目标凸点的降温过程，基于所述降温过程获得对应的最优降温速率；S5：基于所述最优降温速率，调整环境温度；用以减少Flip chip bump bridge，提高封装良率，提高产品可靠性。

技术领域

本发明涉及倒装芯片技术领域，特别涉及一种改善Flip chip bump桥接的制造方法。

背景技术

目前，随着技术的发展，对Flip chip(倒装芯片)封装提出了更高的要求，为了使Flip chip更小型化和多功能化，在相同大小的Flip chip上bump(凸点)设计的个数要求越来越多，且间距越来越小，Flip chip bump bridge(倒装芯片凸点桥桥接)一直是FCCSP(flip chip chip scale package，即为晶片尺寸覆晶基板)或者FCBGA(Flip Chip BallGrid Array，即为倒装芯片球栅格阵列)失效的主要原因，在高要求的现在此问题变的更为突出，减少Flip chip bump bridge，提高封装良率，提高产品可靠性迫在眉睫。

因此，本发明提出一种改善Flip chip bump桥接的制造方法。

发明内容

本发明提供一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，用以减少Flip chip bumpbridge，提高封装良率，提高产品可靠性。

本发明提供一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，包括：

S1：获取倒装芯片的基板在生产过程中的变化情况，基于所述变化情况确定出目标凸点的定位直径；

S2：基于所述定位直径和凸点位置，确定出目标焊接范围；

S3：基于所述目标焊接范围生成网状覆盖物，利用所述网状覆盖物进行回流焊接，形成初始目标凸点；

S4：记录所述初始目标凸点的降温过程，基于所述降温过程获得对应的最优降温速率；

S5：基于所述最优降温速率，调整环境温度。

优选的，所述的一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，S1：获取倒装芯片的基板在生产过程中的变化情况，基于所述变化情况确定出目标凸点的定位直径，包括：

S101：采集倒装芯片的基板在生成过程中的第一视频；

S102：基于所述第一视频，构建所述基板在生产过程中的三维动态模型；

S103：分析所述三维动态模型，获取所述基板的出厂变化参数；

S104：基于所述出厂变化参数，确定出目标凸点的定位直径。

优选的，所述的一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，S102：基于所述第一视频，构建所述基板在生产过程中的三维动态模型，包括：

提取所述基板在所述第一视频中每一帧图像中的所有第一边缘线段；

按照第一预设确定规则，确定出所述第一边缘线段中的所有第一追踪点；

按照所述第一视频中每一帧图像的顺序，对所述第一追踪点进行追踪排序，获得每个第一追踪点对应的第一追踪轨迹；

确定所述第一视频中第一帧图像中的基板图像区域；

确定出所述基板图像区域中每个像素点的视觉参数，基于所述视觉参数和预设划分规则，将所述基板图像区域划分为多个追踪区域；