[发明专利]一种避免基板底面污染的单侧湿法系统在审
| 申请号： | 202111575176.6 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN114334723A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 李广欣;彭寿;潘锦功;傅干华;蒋猛 | 申请（专利权）人： | 成都中建材光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683 |
| 代理公司： | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 | 代理人： | 李华;温黎娟 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 避免 底面 污染 湿法 系统 | ||
1.一种避免基板底面污染的单侧湿法系统，其特征在于包括：
支撑传输机构，用于输送基板；
吸附机构，用于吸附基板并遮蔽基板底面，防止基板底面被药液腐蚀；
传动交握机构，用于将基板在支撑传输机构和吸附机构之间传递；
淋洗机构，用于喷洒药液对基板进行冲洗；
风干机构，用于对冲洗后的基板进行风干。
2.根据权利要求1所述的一种避免基板底面污染的单侧湿法系统，其特征在于：所述吸附机构包括底板以及底板上方铺设的真空吸附台；所述真空吸附台上开有若干与真空发生装置连接的抽气孔；还包括若干用于基板升降的升降杆，所述升降杆贯穿底板和真空吸附台，并可延伸出真空吸附台顶面。
3.根据权利要求2所述的一种避免基板底面污染的单侧湿法系统，其特征在于：所述底板上位于真空吸附台四周镶嵌有密封圈。
4.根据权利要求2所述的一种避免基板底面污染的单侧湿法系统，其特征在于：所述底板上位于真空吸附台下方设置有加热装置。
5.根据权利要求1所述的一种避免基板底面污染的单侧湿法系统，其特征在于：所述传动交握机构包括布置在吸附机构上方的左右水平设置的支撑杆，所述支撑杆相互平行并且沿支撑传输机构的传输方向设置；所述支撑杆上并排设置有若干传输辊，所述传输辊的传输方向与支撑传输机构的传输方向一致；还包括驱动支撑杆绕其轴心自转的驱动装置。
6.根据权利要求1所述的一种避免基板底面污染的单侧湿法系统，其特征在于：所述支撑杆可带动传输辊在水平位置和竖直向下位置之间切换。
7.根据权利要求1所述的一种避免基板底面污染的单侧湿法系统，其特征在于：所述淋洗机构包括横跨于吸附机构上方的喷淋管，所述喷淋管上安装有若干喷头；所述风干机构为风刀。
8.根据权利要求7所述的一种避免基板底面污染的单侧湿法系统，其特征在于：所述吸附机构两侧沿支撑传输机构传输方向布置的滑动支撑杆，所述滑动支撑杆上设置有可沿其前后滑动的升降支撑杆，所述喷淋管和风刀的两端固定在升降支撑杆上。
9.根据权利要求1所述的一种避免基板底面污染的单侧湿法系统，其特征在于：所述支撑传输机构为两段，分别布置在吸附机构的前后端。
10.根据权利要求9所述的一种避免基板底面污染的单侧湿法系统，其特征在于：所述支撑传输机构由若干输送辊组成，所述输送辊的输送平面高度与传动交握机构的输送平面高度一致。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
