[发明专利]吸声结构及吸声装置在审

专利信息
申请号: 202111575471.1 申请日: 2021-12-21
公开(公告)号: CN114170993A 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 吴宗汉;刘军;安立人 申请(专利权)人: 鲲腾技术有限公司
主分类号: G10K11/172 分类号: G10K11/172;G10K11/162
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 梁爽
地址: 400050 重庆市九龙坡*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 吸声 结构 装置
【权利要求书】:

1.一种吸声结构,其特征在于,所述吸声结构包括绝缘基板、第一绝缘膜体、第一磁性件和导电体;其中:

所述绝缘基板上开设有通孔,所述第一绝缘膜体贴附于所述绝缘基板的一侧面上,所述第一绝缘膜体在所述通孔内的部分悬空,所述第一磁性件固定于所述第一绝缘膜体上并位于所述通孔内,所述导电体固定于所述绝缘基板背向所述第一绝缘膜体的一侧面上,所述导电体呈封闭环状且环绕所述通孔。

2.根据权利要求1所述的吸声结构,其特征在于,所述吸声结构还包括第二绝缘膜体和第二磁性件;其中:

所述第二绝缘膜体与所述导电体间隔设置,且所述第二绝缘膜体的一侧面与所述导电体背向所述绝缘基板的一侧相对,所述第二磁性件固定于所述第二绝缘膜体背向所述导电体的一侧面上。

3.根据权利要求2所述的吸声结构,其特征在于,所述吸声结构还包括固定框,所述第二绝缘膜体的边缘连接于所述固定框的内侧壁上;

且/或,所述绝缘基板的边缘连接于所述固定框的内侧壁上。

4.根据权利要求2所述的吸声结构,其特征在于,所述第一磁性件的充磁方向与所述导电体的轴向相互平行;

且/或,所述第二磁性件的充磁方向与所述导电体的轴向相互平行。

5.根据权利要求2所述的吸声结构,其特征在于,所述第二磁性件呈片状并覆盖所述导电体的内环。

6.根据权利要求2所述的吸声结构,其特征在于,所述第二绝缘膜体的厚度大于所述第一绝缘膜体的厚度。

7.根据权利要求2所述的吸声结构,其特征在于,所述第二磁性件的材质为钕铁硼、钐钴、铝镍钴中的任意一种。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的吸声结构,其特征在于,所述通孔为多个,所述第一磁性件、所述导电体均为多个且与所述通孔一一对应。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的吸声结构,其特征在于,所述绝缘基板的材质为聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯中的任意一种;

所述第一磁性件的材质为钕铁硼、钐钴、铝镍钴中的任意一种;

所述导电体的材质为铜、软铁材料中的任意一种。

10.一种吸声装置,其特征在于,所述吸声装置包括如权利要求1至9中任一项所述的吸声结构。

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