[发明专利]吸声结构及吸声装置在审

专利信息
申请号: 202111575471.1 申请日: 2021-12-21
公开(公告)号: CN114170993A 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 吴宗汉;刘军;安立人 申请(专利权)人: 鲲腾技术有限公司
主分类号: G10K11/172 分类号: G10K11/172;G10K11/162
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 梁爽
地址: 400050 重庆市九龙坡*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 吸声 结构 装置
【说明书】:

发明公开了一种吸声结构及吸声装置,所述吸声结构包括绝缘基板、第一绝缘膜体、第一磁性件和导电体;其中,所述绝缘基板上开设有通孔,所述第一绝缘膜体贴附于所述绝缘基板的一侧面上,所述第一绝缘膜体在所述通孔内的部分悬空,所述第一磁性件固定于所述第一绝缘膜体上并位于所述通孔内,所述导电体固定于所述绝缘基板背向所述第一绝缘膜体的一侧面上,所述导电体呈封闭环状且环绕所述通孔。本发明公开的吸声结构可解决现有的薄膜共振吸声结构应用局限性大、吸声效果不佳的技术问题。

技术领域

本发明属于消声器技术领域,具体涉及一种吸声结构及吸声装置。

背景技术

薄膜共振吸声结构在消声降噪装置中被广泛使用。传统的薄膜共振吸声结构通常将薄膜贴附于封闭腔体的开口处,使薄膜与封闭腔体内的空气形成共振系统,当入射声波频率等于系统的共振频率时即产生共振,此时入射声波激发薄膜产生振动,振动将导致声波能量的损耗,从而达到吸声的目的。

然而,该结构吸声频带窄,仅在共振频率附近才具有较好的吸声性能。而该结构的共振频率由薄膜的密度、张力以及封闭腔体的深度共同决定,若要调整其吸声频带,则需更换薄膜或改变封闭腔体的深度。如此非常不便,且在实际应用中通常受限于设备内的空间而无法作上述调整,致使该吸声结构的实际应用受到限制。

发明内容

为了克服现有技术的上述缺点,本发明的目的在于提供一种吸声结构,旨在解决现有的薄膜共振吸声结构应用局限性大、吸声效果不佳的技术问题。

本发明为达到其目的,所采用的技术方案如下:

一种吸声结构,所述吸声结构包括绝缘基板、第一绝缘膜体、第一磁性件和导电体;其中:

所述绝缘基板上开设有通孔,所述第一绝缘膜体贴附于所述绝缘基板的一侧面上,所述第一绝缘膜体在所述通孔内的部分悬空,所述第一磁性件固定于所述第一绝缘膜体上并位于所述通孔内,所述导电体固定于所述绝缘基板背向所述第一绝缘膜体的一侧面上,所述导电体呈封闭环状且环绕所述通孔。

进一步地,所述吸声结构还包括第二绝缘膜体和第二磁性件;其中:

所述第二绝缘膜体与所述导电体间隔设置,且所述第二绝缘膜体的一侧面与所述导电体背向所述绝缘基板的一侧相对,所述第二磁性件固定于所述第二绝缘膜体背向所述导电体的一侧面上。

进一步地,所述吸声结构还包括固定框,所述第二绝缘膜体的边缘连接于所述固定框的内侧壁上。

进一步地,所述绝缘基板的边缘连接于所述固定框的内侧壁上。

进一步地,所述第一磁性件的充磁方向与所述导电体的轴向相互平行。

进一步地,所述第二磁性件的充磁方向与所述导电体的轴向相互平行。

进一步地,所述第二磁性件呈片状并覆盖所述导电体的内环。

进一步地,所述第二绝缘膜体的厚度大于所述第一绝缘膜体的厚度。

进一步地,所述第一磁性件的材质为钕铁硼、钐钴、铝镍钴中的任意一种。

进一步地,所述第二磁性件的材质为钕铁硼、钐钴、铝镍钴中的任意一种。

进一步地,所述绝缘基板的材质为聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯中的任意一种。

进一步地,所述导电体的材质为铜、软铁材料中的任意一种。

进一步地,所述通孔为多个,所述第一磁性件、所述导电体均为多个且与所述通孔一一对应。

对应地,本发明还提出一种吸声装置,所述吸声装置包括如前述的吸声结构。

与现有技术相比,本发明的有益效果是:

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