[发明专利]一种去除晶圆背封的方法及装置

权利要求书

1.一种去除晶圆背封的方法，用于去除在晶圆第一表面的膜层，所述膜层包括多晶硅膜层，所述去除晶圆背封的方法包括：

在所述多晶硅膜层的第一区域提供第一溶液，所述第一区域为所述晶圆半径尺寸的40％～50％的环形范围；

在所述多晶硅膜层的第二区域提供第一溶液，所述第二区域为所述晶圆半径尺寸的3％～5％的环形范围。

2.根据权利要求1所述的去除晶圆背封的方法，其特征在于，所述在所述多晶硅膜层的第一区域提供第一溶液，通过第一喷淋提供，去除所述晶圆背封时，所述晶圆进行转动，所述转速是1500～2000rpm。

3.根据权利要求2所述的去除晶圆背封的方法，其特征在于，所述第一喷淋移动速度为100～140mm/s，所述第一喷淋流量为1400～1600mL/min。

4.根据权利要求1所述的去除晶圆背封的方法，其特征在于，所述在所述多晶硅膜层的第二区域提供第一溶液，通过第二喷淋提供，去除所述晶圆背封时，所述晶圆进行转动，所述转速是1500～2000rpm。

5.根据权利要求4所述的去除晶圆背封的方法，其特征在于，所述第二喷淋移动速度为5～30mm/s，所述第二喷淋流量为1400～1600mL/min。

6.根据权利要求1所述的去除晶圆背封的方法，其特征在于，所述在所述多晶硅膜层的第一区域提供第一溶液、与所述在所述多晶硅膜层的第二区域提供第一溶液的作业时长比为2:1～4:1。

7.据权利要求1所述的去除晶圆背封的方法，其特征在于，所述多晶硅膜层厚度为

8.根据权利要求1-7任一项所述的去除晶圆背封的方法，其特征在于，还包括：在把第一溶液先后提供给所述多晶硅膜层的第一区域和第二区域后，依次在所述晶圆第一表面的膜层提供第二溶液和第三溶液，以便去除在所述多晶硅膜层去除过程中产生的残留物。

9.根据权利要求8所述的去除晶圆背封的方法，其特征在于，所述在所述晶圆第一表面的膜层提供第二溶液，通过第三喷淋提供，在进行所述第三喷淋时，所述晶圆以1000～1600rpm的转速转动。

10.根据权利要求9所述的去除晶圆背封的方法，其特征在于，所述第三喷淋移动速度为80～120mm/s，所述第三喷淋流量为1700～1900mL/min，所述第三喷淋范围为所述晶圆半径尺寸的45％～66％。

11.根据权利要求8所述的去除晶圆背封的方法，其特征在于，所述在所述晶圆第一表面的膜层提供第三溶液，通过第四喷淋提供，在进行所述第四喷淋时，所述晶圆以100～1600rpm的转速转动。

12.根据权利要求11所述的去除晶圆背封的方法，其特征在于，所述第四喷淋移动速度为80～120mm/s，所述第四喷淋流量为1700～1900mL/min，所述第四喷淋范围为所述晶圆半径尺寸的45％～66％。

13.根据权利要求8所述的去除晶圆背封的方法，其特征在于，所述第二溶液为稀释氢氟酸溶液，所述稀释氢氟酸溶液成分比例为HF:H₂O＝1:70～90。

14.根据权利要求1-7、9-13任一项所述的去除晶圆背封的方法，其特征在于，所述膜层还包括：位于所述多晶硅膜层之上的第一氧化物膜层；所述去除晶圆背封的方法还包括：在所述第一氧化物膜层表面提供第四溶液，以去除第一氧化物膜层。

15.根据权利要求14所述的去除晶圆背封的方法，其特征在于，所述第一氧化物膜层厚度为所述第四溶液为浓度49％的氢氟酸溶液，所述第四溶液的提供时长为5～15s。