[发明专利]一种去除晶圆背封的方法及装置

说明书

本公开的实施例提供一种去除晶圆背封的方法及装置，用于去除在晶圆第一表面的膜层，所述膜层包括多晶硅膜层，所述去除晶圆背封的方法包括：在所述多晶硅膜层的第一区域提供第一溶液，所述第一区域为所述晶圆半径尺寸的40％～50％的环形范围；在所述多晶硅膜层的第二区域提供第一溶液，所述第二区域为所述晶圆半径尺寸的3％～5％的环形范围。使用本公开的实施例提供一种去除晶圆背封的方法及装置，可以实现晶圆背封的去除，且无残留和缺陷产生。

技术领域

本公开涉及半导体制造领域，特别涉及一种去除晶圆背封的方法及装置。

背景技术

晶圆背封是晶圆制造中一种常用的工艺，通常做法是通常使用化学气相沉积工艺在晶圆上沉积不同的膜层，例如沉积氧化物膜层-多晶硅膜层- 氧化物膜层，晶圆正面和背面都被沉积了多膜层以实现背封，正面膜层需要去除，仅留下背面膜层。

通常通过化学机械研磨或湿法将正面膜层去除，留下背面膜保护晶圆。化学机械研磨去除正面膜层的过程中容易产生缺陷。湿法去除正面膜层的过程中，容易产生残留，在后续氧化物膜层去除时产生缺陷。

因此，需要一种去除晶圆背面膜层的方法。

发明内容

本公开的实施例提供一种去除晶圆背封的方法及装置。

本公开的实施例提供一种去除晶圆背封的方法，用于去除在晶圆第一表面的膜层，所述膜层包括多晶硅膜层，所述去除晶圆背封的方法包括：在所述多晶硅膜层的第一区域提供第一溶液，所述第一区域为所述晶圆半径尺寸的40％～50％的环形范围；在所述多晶硅膜层的第二区域提供第一溶液，所述第二区域为所述晶圆半径尺寸的3％～5％的环形范围。

在一些实施例中，所述在所述多晶硅膜层的第一区域提供第一溶液，通过第一喷淋提供，去除所述晶圆背封时，所述晶圆进行转动，所述转速是1500～2000rpm。

在一些实施例中，所述第一喷淋移动速度为100～140mm/s，所述第一喷淋流量为1400～1600mL/min。

在一些实施例中，所述在所述多晶硅膜层的第二区域提供第一溶液，通过第二喷淋提供，去除所述晶圆背封时，所述晶圆进行转动，所述转速是1500～2000rpm。

在一些实施例中，所述第二喷淋移动速度为5～30mm/s，所述第二喷淋流量为1400～1600mL/min。

在一些实施例中，所述在所述多晶硅膜层的第一区域提供第一溶液、与所述在所述多晶硅膜层的第二区域提供第一溶液的作业时长比为 2:1～4:1。

在一些实施例中，所述多晶硅膜层厚度为

在一些实施例中，所述的去除晶圆背封的方法还包括：在把第一溶液先后提供给所述多晶硅膜层的第一区域和第二区域后，依次在所述晶圆第一表面的膜层提供第二溶液和第三溶液，以便去除在所述多晶硅膜层去除过程中产生的残留物。

在一些实施例中，所述在所述晶圆第一表面的膜层提供第二溶液，通过第三喷淋提供，在进行所述第三喷淋时，所述晶圆以1000～1600rpm的转速转动。

在一些实施例中，所述第三喷淋移动速度为80～120mm/s，所述第三喷淋流量为1700～1900mL/min，所述第三喷淋范围为所述晶圆半径尺寸的 45％～66％。

在一些实施例中，所述在所述晶圆第一表面的膜层提供第三溶液，通过第四喷淋提供，在进行所述第四喷淋时，所述晶圆以100～1600rpm的转速转动。

在一些实施例中，所述第四喷淋移动速度为80～120mm/s，所述第四喷淋流量为1700～1900mL/min，所述第四喷淋范围为所述晶圆半径尺寸的 45％～66％。