[发明专利]单晶炉用加料方法、单晶炉及计算机可读存储介质

权利要求书

1.一种单晶炉用加料方法，其特征在于，包括：

获取预设加料总质量M1、首次加料的质量m1、末次加料的质量m2、单次平均加料质量坩埚的半径r；

控制单晶炉，在坩埚位于起始埚位的情况下，首次加料；

用M1减去所述m1，并减去所述m2，得到待分配料的质量M2；

根据所述M2、所述确定所述待分配料所需的加料次数，以及所述待分配料分别在各加料次的加料质量；

将前一次所加料熔化至80％-90％的质量的时刻，确定为相邻的后一加料次的加料时刻；

根据ΔH＝m÷πr²ρ，确定除首次加料外的每一加料次对应的坩埚需要下降的高度；所述m为除首次加料外的每一加料次所加料的加料质量，ρ为熔硅的密度；

控制单晶炉，在每一加料次的加料时刻，将坩埚下降所述加料次对应的ΔH，然后向坩埚内加所述加料次对应的加料质量的硅原料，直至末次加料完毕。

2.根据权利要求1所述的单晶炉用加料方法，其特征在于，所述根据所述M2、所述确定所述待分配料所需的加料次数，以及所述待分配料分别在各加料次的加料质量，包括：

用所述M2除以所述得到商；

在所述商为整数的情况下，所述商为所述待分配料所需的加料次数，所述待分配料分别在各加料次的加料质量均相等，均为所述

在所述商为小数的情况下，对所述商取整，取整的结果为所述待分配料所需的加料次数，将所述M2在所述待分配料所需的加料次数中分配，且分配在各加料次的加料质量，与所述的差值的绝对值，均小于或等于8％

3.根据权利要求2所述的单晶炉用加料方法，其特征在于，

分配在各加料次的加料质量的过程中：时间靠前的加料次对应的加料质量，大于或等于时间靠后的加料次对应的加料质量；所述时间靠前的加料次，比所述时间靠后的加料次更靠近所述首次加料。

4.根据权利要求1-3中任一所述的单晶炉用加料方法，其特征在于，所述m1均大于所述待分配料分别分配在各加料次的加料质量，所述待分配料分别在各加料次的加料质量均大于所述m2。

5.根据权利要求1-3中任一所述的单晶炉用加料方法，其特征在于，所述将前一次所加料熔化至80％-90％的质量的时刻，确定为相邻的后一加料次的加料时刻，包括：

用t＝cm_前ΔT÷(P1+P2)确定前一次所加料所需的熔化时间；所述m_前为前一次所加料的质量；P1为熔化前一次所加料的主加热器的加热功率，P2为熔化前一次所加料的副加热器的加热功率，c为硅原料的比热容，ΔT为熔硅的温度与硅原料加入坩埚前的温度两者的差；

在前一次加料时刻的基础上，推后第一时间，得到相邻的后一加料次的加料时刻；所述第一时间为前一次所加料所需的熔化时间的80％-90％。

6.根据权利要求1-3中任一所述的单晶炉用加料方法，其特征在于，所述获取预设加料总质量M1、首次加料的质量m1、末次加料的质量m2、单次平均加料质量坩埚的半径r之前，还包括：

根据坩埚的尺寸，确定所述所述与坩埚的尺寸成正比。

7.根据权利要求1-3中任一所述的单晶炉用加料方法，其特征在于，所述获取预设加料总质量M1、首次加料的质量m1、末次加料的质量m2、单次平均加料质量坩埚的半径r之后，所述方法还包括：

在M1＜m1的情况下，报警提示；

和/或，在m1＜m2的情况下，报警提示；

和/或，在的情况下，报警提示。

8.根据权利要求5所述的单晶炉用加料方法，其特征在于，所述P1为主加热器的最大加热功率，所述P2为副加热器的最大加热功率。

9.一种单晶炉，其特征在于，包括：处理器、通信接口、存储器和通信总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过通信总线完成相互间的通信；

存储器，用于存放计算机程序；

处理器，用于执行存储器上所存放的程序时，实现权利要求1-8中任一所述的单晶炉用加料方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现如权利要求1-8中任一所述的单晶炉用加料方法的步骤。