[发明专利]单晶炉用加料方法、单晶炉及计算机可读存储介质

说明书

本发明提供了单晶炉用加料方法、单晶炉及计算机可读存储介质，涉及拉晶技术领域。方法包括：获取预设加料总质量M1、首次加料的质量m1、末次加料的质量m2、单次平均加料质量坩埚的半径r；首次加料；用M1减去m1，并减去m2，得到待分配料的质量M2；根据M2、确定待分配料所需的加料次数，以及待分配料分别在各加料次的加料质量；将前一次所加料熔化至80％‑90％的质量的时刻，确定为相邻的后一加料次的加料时刻；根据ΔH＝m÷πrsupgt;2/supgt;ρ，确定除首次加料外的每一加料次对应的坩埚需要下降的高度；控制单晶炉，在每一加料时刻，将坩埚下降加料次对应的ΔH，然后向坩埚内加对应的加料质量的硅原料，直至末次加料。本申请人工操作简便，节省时间且不易溅硅。

技术领域

本发明涉及单晶拉晶技术领域，特别是涉及一种单晶炉用加料方法、单晶炉及计算机可读存储介质。

背景技术

单晶拉晶生长领域，目前行业内主要以直拉法(CZ)拉晶技术为基础进行拉晶，多次装料法(RCZ)拉晶是在CZ法基础上的升级，该RCZ拉晶需要在加料过程中使用石英筒加料方式，并且都需要多次石英筒补料，如果拉制的单晶硅棒段数过多，则加料次数成倍数增长。

在多次装料拉晶过程中，每次加料都需要人工干预。发明人在研究上述现有的多次装料拉晶过程发现：在加料过程中，人工操作繁琐，耗费时间、而且容易溅硅，从很大程度上减低了产能。

发明内容

本发明提供一种单晶炉用加料方法、单晶炉及计算机可读存储介质，旨在解决多次装料拉晶过程中，加料期间人工操作繁琐，耗费时间、而且容易溅硅，产能低的问题。

本发明的第一方面，提供一种单晶炉用加料方法，包括：

获取预设加料总质量M1、首次加料的质量m1、末次加料的质量m2、单次平均加料质量坩埚的半径r；

控制单晶炉，在坩埚位于起始埚位的情况下，首次加料；

用M1减去所述m1，并减去所述m2，得到待分配料的质量M2；

根据所述M2、所述确定所述待分配料所需的加料次数，以及所述待分配料分别在各加料次的加料质量；

将前一次所加料熔化至80％-90％的质量的时刻，确定为相邻的后一加料次的加料时刻；

根据ΔH＝m÷πr²ρ，确定除首次加料外的每一加料次对应的坩埚需要下降的高度；所述m为除首次加料外的每一加料次所加料的加料质量，ρ为熔硅的密度；

控制单晶炉，在每一加料次的加料时刻，将坩埚下降所述加料次对应的ΔH，然后向坩埚内加所述加料次对应的加料质量的硅原料，直至末次加料完毕。

本发明实施例中，根据该方法可以自动确定各加料次的加料质量、加料时刻、每一加料次坩埚所需的下降高度，无需人工干预，就完成了多次加料，智能化程度高，人工操作简便，节省时间。且将前一次所加料熔化至80％-90％的质量的时刻，确定为相邻的后一加料次的加料时刻，在后一次加料过程中，不易溅硅，且不会降低熔硅速度。综上所述本发明实施例从很大程度上提升了产能。

可选的，所述根据所述M2、所述确定所述待分配料所需的加料次数，以及所述待分配料分别在各加料次的加料质量，包括：

用所述M2除以所述得到商；

在所述商为整数的情况下，所述商为所述待分配料所需的加料次数，所述待分配料分别在各加料次的加料质量均相等，均为所述

在所述商为小数的情况下，对所述商取整，取整的结果为所述待分配料所需的加料次数，将所述M2在所述待分配料所需的加料次数中分配，且分配在各加料次的加料质量，与所述的差值的绝对值，均小于或等于8％