[发明专利]显示基板的制作方法、显示基板及显示装置

说明书

本公开提供了一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置。所述显示基板的制作方法包括：在衬底上设置多个发光单元，露出部分第一半导体层，所述发光单元形成台面；在所述发光单元的台面之间的凹槽设置第一阻光结构；在所述发光单元及所述第一半导体层上设置电极层，获得Micro‑LED阵列；将所述Micro‑LED阵列与电路基板键合，并将所述衬底剥离。应用本公开的技术方案，通过在发光单元之间设置阻光结构，可以有效避免发光单元之间的串光现象，改善显示基板的显示效果。

技术领域

本公开涉及LED的技术领域，具体而言，涉及一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置。

背景技术

Micro-LED(Micro Light Emitting Diode)是一种新的自发光显示技术，由于Micro-LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点，与LCD、OLED相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。

但是，由于Micro-LED芯片尺寸小，单个Micro-LED芯片的尺寸通常在几到几十微米的范围内，Micro-LED芯片之间的间距则更小，通常小于单个Micro-LED芯片的尺寸，如何防止Micro-LED芯片之间的串光现象成为一个难题。

发明内容

为了解决背景技术中提到的技术问题，本公开的方案提供了一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置。

根据本公开实施例的第一方面，提供了一种显示基板的制作方法，其中，所述方法包括：在衬底上设置多个发光单元，露出部分第一半导体层，所述发光单元形成台面；在所述发光单元的台面之间的凹槽设置第一阻光结构；在所述发光单元及所述第一半导体层上设置电极层，获得Micro-LED阵列；将所述Micro-LED阵列与电路基板键合，并将所述衬底剥离。本公开实施例通过在发光单元之间设置阻光结构，可以有效避免发光单元之间的串光现象，改善显示基板的显示效果。

可选地，在所述发光单元的台面之间的凹槽设置第一阻光结构包括：在所述多个发光单元表面设置光刻胶，并将所述凹槽的光刻胶曝光去除；在所述光刻胶表面设置阻光材料，其中，所述凹槽被所述阻光材料填充；去除剩余光刻胶及其上的阻光材料，以获得所述第一阻光结构。

可选地，在所述发光单元的台面之间的凹槽设置第一阻光结构包括：在所述多个发光单元表面设置黑色光刻胶，并将所述凹槽以外的黑色光刻胶曝光去除，仅保留所述凹槽内的黑色光刻胶，以形成所述第一阻光结构。

可选地，所述方法还包括：在所述Micro-LED阵列的第一半导体层的远离所述电路基板的一侧设置第二阻光结构；所述第二阻光结构之间形成容纳区。本公开实施例在第一半导体层两侧均设置阻光结构，进一步提升了光阻挡效果，有效防止Micro-LED芯片之间串光，进一步提升了显示基板的显示效果。

可选地，所述第二阻光结构与所述第一阻光结构一一对应设置。

可选地，在所述Micro-LED阵列的第一半导体层的远离所述电路基板的一侧设置第二阻光结构包括：在所述第一半导体层远离所述电路基板的一侧设置阻光材料；在所述阻光材料远离所述第一半导体层的一侧设置光刻胶，并将所述发光单元对应位置的所述光刻胶曝光去除；去除未被光刻胶覆盖的阻光材料，并去除剩余光刻胶，以获得所述第二阻光结构。

可选地，在所述Micro-LED阵列的第一半导体层的远离所述电路基板的一侧设置第二阻光结构包括：在所述Micro-LED阵列的第一半导体层的远离所述电路基板的一侧设置黑色光刻胶，并将与所述凹槽相对应区域以外的黑色光刻胶曝光去除，仅保留凹槽对应区域的黑色光刻胶，以形成第二阻光结构。

可选地，所述方法还包括：在所述第二阻光结构的侧壁上设置反光层。反光层的设置，可以使Micro-LED芯片发出的照射到第二阻光结构的侧壁上的光线经反光层反射后出光，可以提高Micro-LED芯片朝向出光方向的出光强度，有利于提高显示基板的显示效果。