[发明专利]一种蚀刻液组合物及其制备方法

说明书

本发明提供一种蚀刻液组合物及其制备方法，属于蚀刻液组合物领域。所述组合物包括：过氧化氢、络合剂、有机酸、盐酸、硝酸、无机盐、铜缓蚀剂、过氧化氢稳定剂和水。所述蚀刻液组合物具有蚀刻后的形貌良好，无存在残留，且对ITO无伤害，蚀刻速率的稳定性好，安全性好，过氧化氢稳定性好等优点。

技术领域

本发明属于蚀刻液组合物领域，具体涉及一种蚀刻液组合物及其制备方法。

背景技术

近些年来，由于半导体和显示面板等行业的迅猛发展，对电子化学品不仅具有量的旺盛需求,而且对质的要求也越来越高，蚀刻技术作为半导体、显示面板等必不可少的工艺环节，也在不断地发展进步，其中湿法刻蚀作为最有效、最稳定和最广泛的蚀刻技术被行业长期使用，金属铜具有更加优异的电导性而被广泛作为金属互联线，因此，目前的蚀刻大多都是围绕铜或铜合金而展开，目前市场上该铜蚀刻液主要由双氧水、硫酸和去离子水组成,在该蚀刻液蚀刻过程中，双氧水和金属铜反应形成的氧化铜，硫酸与生成的氧化铜反应生成可溶性的二价铜离子，在该蚀刻过程中生成的二价铜离子一方面由于自身的氧化性会继续对金属铜氧化生成一价铜离子，随着蚀刻液铜离子的不断累积，蚀刻速率会越来越快，变得无法受控；另一方面，铜离子加速双氧水分解，从而缩短蚀刻液寿命，同时制程中液体温度急剧上升，易导致安全事故发生。

因此，仍亟需一种蚀刻速率稳定，且安全性高的蚀刻液组合物。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种蚀刻液组合物及其制备方法。

第一方面，本发明提供一种蚀刻液组合物。

一种蚀刻液组合物，其包括：过氧化氢、络合剂、有机酸、盐酸、硝酸、无机盐、铜缓蚀剂、过氧化氢稳定剂和水。

以组合物的总质量计算，所述过氧化氢的含量可以为5wt％-10wt％。在一些实施例中，以组合物的总质量计算，所述过氧化氢的含量为5wt％-8wt％。在一些实施例中，以组合物的总质量计算，所述过氧化氢的含量为5wt％-7wt％。在一些实施例中，以组合物的总质量计算，所述过氧化氢的含量为5wt％、6wt％、7wt％、8wt％、9wt％或10wt％。

以组合物的总质量计算，所述络合剂的含量可以为0.05wt％-2wt％。在一些实施例中，以组合物的总质量计算，所述络合剂的含量为0.5wt％-2wt％。在一些实施例中，以组合物的总质量计算，所述络合剂的含量为1wt％-2wt％。在一些实施例中，以组合物的总质量计算，所述络合剂的含量为1.5wt％-2wt％。在一些实施例中，以组合物的总质量计算，所述络合剂的含量为0.5wt％、1.0wt％、1.5wt％或2.0wt％。

以组合物的总质量计算，所述有机酸的含量可以为0.5wt％-5wt％。在一些实施例中，以组合物的总质量计算，所述有机酸的含量为1wt％-4wt％。在一些实施例中，以组合物的总质量计算，所述有机酸的含量为2wt％-3wt％。在一些实施例中，以组合物的总质量计算，所述有机酸的含量为1wt％、2wt％、3wt％或4wt％。

以组合物的总质量计算，所述盐酸的含量可以为0.1wt-5wt％。在一些实施例中，以组合物的总质量计算，所述盐酸的含量为0.5wt％-2.0wt％。在一些实施例中，以组合物的总质量计算，所述盐酸的含量为0.5wt％-1.0wt％。在一些实施例中，以组合物的总质量计算，所述盐酸的含量为0.5wt％、1.0wt％、1.5wt％、2.0wt％、3.0wt％、4.0wt％或5.0wt％。

以组合物的总质量计算，所述硝酸的含量可以为0.1wt％-2wt％。在一些实施例中，以组合物的总质量计算，所述硝酸的含量为0.5wt％-2.0wt％。在一些实施例中，以组合物的总质量计算，所述硝酸的含量为0.5wt％-1.0wt％。在一些实施例中，以组合物的总质量计算，所述硝酸的含量为0.5wt％、1.0wt％、1.5wt％、2.0wt％、3.0wt％、4.0wt％或5.0wt％。