[发明专利]一种FinFET集成电路工艺下新型低触发静电保护装置在审
| 申请号： | 202111586867.6 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114267672A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 姜一波;杨帆;邢红飞;孙丽丽;杜文汉 | 申请（专利权）人： | 常州鼎先电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213031 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 集成电路 工艺 新型 触发 静电 保护装置 | ||
1.一种FinFET集成电路工艺下新型低触发静电保护装置，其特征在于：包括半导体基底、部分绝缘层、鳍片区、FinFET栅介质电极、肖特基接触金属层和鳍片跨接层；在半导体基底中形成第一类型半导体阱区和第二类型阱区，在鳍片区形成第一类型或第二类型半导体沟道掺杂、第一类型或第二类型肖特基接触掺杂区、第一类型半导体或第二类型重掺杂区。
2.根据权利要求1所述的FinFET集成电路工艺下新型低触发静电保护装置，其特征在于：所述肖特基接触金属层、鳍片跨接层和第一类型或第二类型肖特基接触掺杂区在兼容FinFET集成电路工艺的条件下共同构造额外的肖特基势垒，作为肖特基二极管用于提供额外的出发电流使得寄生ESD机构开启。
3.根据权利要求1所述的FinFET集成电路工艺下新型低触发静电保护装置，其特征在于：所述半导体基底可为中、低掺杂浓度的晶圆片，也可为经过外延工艺形成的外延层，具体可以为硅基底、锗基底或蓝宝石基底。
4.根据权利要求1所述的FinFET集成电路工艺下新型低触发静电保护装置，其特征在于：通过在一定掺杂浓度的鳍片区上蒸发或溅射相应的金属经过退火形成硅化物进而形成肖特基势垒。
5.根据权利要求1所述的FinFET集成电路工艺下新型低触发静电保护装置，其特征在于：鳍片跨接层采用重掺杂的多晶硅制成，掺杂类型为第一或者第二半导体类型。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
