[发明专利]基板清洗装置及基板的清洗方法在审

专利信息
申请号: 202111590195.6 申请日: 2021-12-23
公开(公告)号: CN114682547A 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 及川文利;深谷孝一;马场枝里奈;末政秀一;中野央二郎 申请(专利权)人: 株式会社荏原制作所
主分类号: B08B3/02 分类号: B08B3/02;B08B3/08;B08B3/12;B08B13/00;H01L21/67;H01L21/02
代理公司: 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 代理人: 张丽颖
地址: 日本国东京都*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 清洗 装置 方法
【说明书】:

提供一种基板清洗装置及基板的清洗方法。基板清洗装置具备:旋转机构,该旋转机构使基板旋转;清洗液供给喷嘴,该清洗液供给喷嘴向所述基板的表面喷出施加了超声波振动的清洗液;以及摆动机构,该摆动机构使所述清洗液供给喷嘴从所述基板的旋转中心附近朝向所述基板的外周端在比所述基板的半面窄的范围内摆动。

技术领域

本发明涉及一种基板清洗装置及基板的清洗方法。

背景技术

在日本专利第4481394号公报公开了一种从清洗液供给喷嘴向基板的表面喷出施加了超声波振动的清洗液的基板清洗装置。

清洗液供给喷嘴与超声波振子一体地形成,并且该喷嘴顶端从基板的外周端在该基板的半径方向外侧离开规定的距离配置。由于清洗液供给喷嘴的直径比基板的厚度大,因此能够同时清洗基板的表里两面。

在这样的超声波清洗中,已知有一种构成该清洗原理的一部分的气蚀导致在基板产生坑(细微的孔缺陷)的例子。以往,即使产生气蚀而在基板产生坑,也不需要考虑实质上对半导体基板产品的性能、成品率的影响。但是,对于近来的精细化的配线尺寸的半导体基板产品,存在相对于被精细化的配线尺寸的构造产生相对较大的坑,从而有对半导体基板产品的性能、成品率产生影响的担忧的例子。

另外,对于近来被精细化的配线尺寸的半导体基板产品,当用与被精细化的配线尺寸对应的缺陷检查装置来进行检查时,有成膜、蚀刻时的残渣以非常不稳定的状态附着在基板端缘的情况。判明了有通过从基板端缘朝向基板的中心的超声波清洗的清洗液的流动,这些异物在基板表面再次附着并残留,作为最终表面缺陷被检测到的例子。

发明内容

本发明是鉴于上述事项而完成的,提供一种能够减轻超声波清洗对基板的负荷并有效地去除附着在基板的异物的基板清洗装置及基板的清洗方法。

用于解决技术问题的技术手段

本发明的第一方式是一种基板清洗装置,具备:旋转机构,该旋转机构使基板旋转;清洗液供给喷嘴,该清洗液供给喷嘴向所述基板的表面喷出施加了超声波振动的清洗液;以及摆动机构,该摆动机构使所述清洗液供给喷嘴从所述基板的旋转中心附近朝向所述基板的外周端在比所述基板的半面窄的范围内摆动。

本发明的第二方式是一种基板清洗装置,具备:旋转机构,该旋转机构使基板旋转;清洗液供给喷嘴,该清洗液供给喷嘴向所述基板的表面喷出施加了超声波振动的清洗液;辊型清洗部件,该辊型清洗部件通过在穿过所述基板的旋转中心的位置与所述基板的表面接触并旋转,从而对所述基板进行清洗;以及摆动机构,该摆动机构在所述辊型清洗部件对所述基板进行清洗的过程中,使所述清洗液供给喷嘴在比所述基板的半面窄的范围内摆动。

在本发明的第三方式中,在上述第一方式或第二方式的基板清洗装置中,也可以是,所述清洗液供给喷嘴向远离所述基板的旋转中心的方向喷出所述清洗液。

在本发明的第四方式中,在上述第一方式至第三方式中的任一方式的基板清洗装置中,也可以是,所述清洗液是碱性水溶液或者阴离子表面活性剂。

在本发明的第五方式中,在上述第一方式至第四方式中的任一方式的基板清洗装置中,也可以是,具备第二清洗液供给喷嘴,该第二清洗液供给喷嘴设置于离开所述清洗液供给喷嘴的摆动范围的位置,并且向所述基板的表面喷出清洗液。

在本发明的第六方式中,在上述第一方式至第五方式中的任一方式的基板清洗装置中,也可以是,所述摆动机构在所述基板的旋转中心附近和所述基板的外周端的至少一方,进行使所述清洗液供给喷嘴的摆动减速和暂停的至少一方。

在本发明的第七方式中,在上述第一方式至第六方式中的任一方式的基板清洗装置中,也可以是,具备倾动机构,该倾动机构进行在所述基板的旋转中心附近使所述清洗液供给喷嘴朝向所述基板的旋转中心倾动和在所述基板的外周端附近使所述清洗液供给喷嘴朝向所述基板的外周端倾动的至少一方。

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