[发明专利]二极管转移方法以及二极管转移装置在审
申请号: | 202111598003.6 | 申请日: | 2021-12-24 |
公开(公告)号: | CN114300502A | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 王雪琴 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 苏蕾 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二极管 转移 方法 以及 装置 | ||
1.一种二极管转移方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一拾取装置,所述拾取装置上设置有柔性电路层以及受热膨胀层;
所述拾取装置拾取二极管芯片;以及
加热升高所述受热膨胀层的温度,所述受热膨胀层膨胀后带动所述柔性电路层延伸,拉大所述二极管芯片之间的间距。
2.如权利要求1所述的二极管转移方法,其特征在于,
所述受热膨胀层的材质包括导热金属或高分子聚合物。
3.如权利要求2所述的二极管转移方法,其特征在于,
所述导热金属单体包括铜、铝、镍中的一种。
4.如权利要求2所述的二极管转移方法,其特征在于,
所述导热金属单体包括铁镍铬合金、锰镍铜合金中的一种。
5.如权利要求2所述的二极管转移方法,其特征在于,
所述高分子聚合物包括聚丙烯、PET、ABS塑料、硅橡胶中的一种。
6.如权利要求1所述的二极管转移方法,其特征在于,还包括:
当所述二极管芯片到指定位置后,对所述拾取装置断电,释放所述二极管芯片。
7.如权利要求6所述的二极管转移方法,其特征在于,还包括:
释放所述二极管芯片后,降低温度使得所述受热膨胀层恢复到原始状态。
8.一种二极管转移装置,其特征在于,包括:
拾取装置,用于拾取待转移的二极管;
柔性电路层,设于所述拾取装置一侧的表面;
受热膨胀层,设于所述柔性电路层远离所述拾取装置一侧的表面;以及
温度控制装置,用于控制所述二极管转移装置内温度的升降。
9.如权利要求8所述的二极管转移装置,其特征在于,
所述温度控制装置控制温度上升时,所述受热膨胀层受热膨胀,带动所述柔性电路层延伸拉长,拉大拾取装置之间的间距;
所述温度控制装置控制温度下降时,所述受热膨胀层紧缩后恢复到初始状态,所述柔性电路层恢复原状,减小拾取装置之间的间距。
10.如权利要求8所述的二极管转移装置,其特征在于,
所述受热膨胀层的材质包括导热金属或高分子聚合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的