[发明专利]二极管转移方法以及二极管转移装置在审

专利信息
申请号: 202111598003.6 申请日: 2021-12-24
公开(公告)号: CN114300502A 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 王雪琴 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 苏蕾
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 二极管 转移 方法 以及 装置
【权利要求书】:

1.一种二极管转移方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供一拾取装置,所述拾取装置上设置有柔性电路层以及受热膨胀层;

所述拾取装置拾取二极管芯片;以及

加热升高所述受热膨胀层的温度,所述受热膨胀层膨胀后带动所述柔性电路层延伸,拉大所述二极管芯片之间的间距。

2.如权利要求1所述的二极管转移方法,其特征在于,

所述受热膨胀层的材质包括导热金属或高分子聚合物。

3.如权利要求2所述的二极管转移方法,其特征在于,

所述导热金属单体包括铜、铝、镍中的一种。

4.如权利要求2所述的二极管转移方法,其特征在于,

所述导热金属单体包括铁镍铬合金、锰镍铜合金中的一种。

5.如权利要求2所述的二极管转移方法,其特征在于,

所述高分子聚合物包括聚丙烯、PET、ABS塑料、硅橡胶中的一种。

6.如权利要求1所述的二极管转移方法,其特征在于,还包括:

当所述二极管芯片到指定位置后,对所述拾取装置断电,释放所述二极管芯片。

7.如权利要求6所述的二极管转移方法,其特征在于,还包括:

释放所述二极管芯片后,降低温度使得所述受热膨胀层恢复到原始状态。

8.一种二极管转移装置,其特征在于,包括:

拾取装置,用于拾取待转移的二极管;

柔性电路层,设于所述拾取装置一侧的表面;

受热膨胀层,设于所述柔性电路层远离所述拾取装置一侧的表面;以及

温度控制装置,用于控制所述二极管转移装置内温度的升降。

9.如权利要求8所述的二极管转移装置,其特征在于,

所述温度控制装置控制温度上升时,所述受热膨胀层受热膨胀,带动所述柔性电路层延伸拉长,拉大拾取装置之间的间距;

所述温度控制装置控制温度下降时,所述受热膨胀层紧缩后恢复到初始状态,所述柔性电路层恢复原状,减小拾取装置之间的间距。

10.如权利要求8所述的二极管转移装置,其特征在于,

所述受热膨胀层的材质包括导热金属或高分子聚合物。

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