[发明专利]二极管转移方法以及二极管转移装置在审
申请号: | 202111598003.6 | 申请日: | 2021-12-24 |
公开(公告)号: | CN114300502A | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 王雪琴 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 苏蕾 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二极管 转移 方法 以及 装置 | ||
本申请公开了一种二极管转移方法以及二极管转移装置,所述二极管转移方法包括以下步骤:提供一拾取装置,所述拾取装置上设置有柔性电路层以及受热膨胀层;所述拾取装置拾取二极管芯片;以及加热升高所述受热膨胀层的温度,所述受热膨胀层膨胀后带动所述柔性电路层延伸,拉大所述二极管芯片之间的间距。本申请的技术效果在于,实现二极管扩大间距并有序排列的巨量转移目标。
技术领域
本申请涉及显示领域,具体涉及一种二极管转移方法以及二极管转移装置。
背景技术
和现有的液晶显示面板技术相比,微发光二极管的分辨率更大,对比度更高,响应更快,能耗更低,是极具潜力的新一代显示技术。
在目前的技术中,微发光二极管只能先在衬底上通过外延生长,在制备完成后再通过转移操作将巨量的微发光二极管转移到显示基板上,按一定规律形成阵列结构。
但是控制数以万计的微发光二极管准确进行“巨量转移”,是一项待解决的技术难点。在外延生长中,微发光二极管间距小,不满足应用要求,需要在转移过程中扩大间距,实现微发光二极管的有序排列。
发明内容
本申请的目的在于,提供一种二极管转移方法以及二极管转移装置,可以解决现有的微发光二极管在转移过程中间距减小且容易造成无序排列等技术问题。
为实现上述目的,本申请提供一种二极管转移方法,包括以下步骤:提供一拾取装置,所述拾取装置上设置有柔性电路层以及受热膨胀层;所述拾取装置拾取二极管芯片;以及加热处理使得所述受热膨胀层温度升高,膨胀后带动所述柔性电路层延伸,拉大所述二极管芯片之间的间距。
进一步地,所述受热膨胀层的材质包括导热金属或高分子聚合物。
进一步地,所述导热金属单体包括铜、铝、镍中的一种。
进一步地,所述导热金属单体包括铁镍铬合金、锰镍铜合金中的一种。
进一步地,所述高分子聚合物包括聚丙烯、PET、ABS塑料、硅橡胶中的一种。
进一步地,所述二极管转移方法还包括:当所述二极管芯片到指定位置后,对所述拾取装置断电,释放所述二极管芯片。
进一步地,所述二极管转移方法还包括:释放所述二极管芯片后,降低温度使得所述受热膨胀层恢复到原始状态。
为实现上述目的,本申请还提供一种二极管转移装置,包括:拾取装置,用于拾取待转移的二极管;柔性电路层,设于所述拾取装置一侧的表面;受热膨胀层,设于所述柔性电路层远离所述拾取装置一侧的表面;以及温度控制装置,用于控制所述二极管转移装置内温度的升降。
进一步地,所述温度控制装置控制温度上升时,所述受热膨胀层受热膨胀,带动所述柔性电路层延伸拉长,拉大拾取装置之间的间距;所述温度控制装置控制温度下降时,所述受热膨胀层紧缩后恢复到初始状态,所述柔性电路层恢复原状,减小拾取装置之间的间距。
进一步地,所述受热膨胀层的材质包括导热金属或高分子聚合物。
本申请的技术效果在于,受热膨胀层受热膨胀,带动其下方的柔性电路层以及二极管芯片一起延展,扩大两个二极管芯片之间的间隙,同时,也能实现转移后二极管有序排列的效果,完成巨量转移的目标。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的二极管转移方法的流程图;
图2是本申请实施例提供的二极管转移装置的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的