[发明专利]一种介质研磨预处理氟硅酸铵分离氟硅元素方法和装置

权利要求书

1.一种介质研磨预处理氟硅酸铵分离氟硅元素方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：以饱和氟化铵溶液作为研磨介质研磨固体氟硅酸铵，得研磨液，且所述研磨液过50-500目筛处理；所述固体氟硅酸铵与饱和氟化铵溶液质量比为1:4-7；

S2：将气态氨充入研磨液或将气态氨与饱和氟化铵溶液混合成混合液后加入到研磨液中，搅拌反应，得反应料浆；

S3：将反应料浆送入到静置沉降塔内，沉降分层，抽取上层、中间层、底层；上层经过滤后得到氟化铵湿晶体和滤液a，中间层为清液，底层经过滤后得二氧化硅固体和滤液b；滤液a、滤液b和清液混合后，返回步骤S1作饱和氟化铵溶液。

2.如权利要求1所述的介质研磨预处理氟硅酸铵分离氟硅元素方法，其特征在于，所述步骤S2，气态氨充入量占固体氟硅酸铵质量30-50%，且所述气态氨充入时间控制在30-50min；或所述步骤S2，气态氨与饱和氟化铵溶液质量比为1:1.5-2混合成混合液，且混合液按照以气态氨占固体氟硅酸铵质量30-50%加入到研磨液中，加入到研磨液中的时间控制在30-50min。

3.一种介质研磨预处理氟硅酸铵分离氟硅元素装置，其特征在于，包括研磨机（2）、反应槽（3）和静置沉降塔（7），所述研磨机（2）底部设所述反应槽（3），所述反应槽（3）与所述静置沉降塔（7）之间经管路连通，且所述反应槽（3）内的物料能够直接流入到所述静置沉降塔（7）内；所述静置沉降塔（7）顶部设有上层抽出口，所述静置沉降塔（7）底部设底层排出口；所述反应槽（3）侧壁设送气管（5），所述送气管（5）连接有氨气罐（4）；所述反应槽（3）和所述静置沉降塔（7）之间的管路上设有第一阀门（6）；

所述装置还包括固体氟硅酸铵槽（1）和饱和NH₄F溶液槽a（12），所述固体氟硅酸铵槽（1）与所述研磨机（2）之间设输送带（13），所述输送带（13）能够将所述固体氟硅酸铵槽（1）内物料输送到所述研磨机（2）内；所述饱和NH₄F溶液槽a（12）与所述研磨机（2）之间经过管路连通，且所述管路能够将所述饱和NH₄F溶液槽a（14）内的饱和NH₄F溶液送入到所述研磨机（2）内；

所述装置还包括SiO₂过滤器（8）和NH₄F过滤器（10）；所述SiO₂过滤器（8）与所述底层排出口连通，所述SiO₂过滤器（8）经过输送带连通设有SiO₂储槽（9），且所述输送带能够将所述底层排出口排出的物料经所述SiO₂过滤器（8）过滤所得的二氧化硅固体送入到所述SiO₂储槽（9），所述SiO₂过滤器（8）过滤排出的液体返回加入到所述研磨机（2）中循环利用；所述NH₄F过滤器（10）与所述上层抽出口连通，所述NH₄F过滤器（10）经过输送带连通设有NH₄F储槽（11），且所述输送带能够将所述上层抽出口排出的物料经所述NH₄F过滤器（10）过滤所得的NH₄F晶体送入到所述NH₄F储槽（11），所述NH₄F过滤器（10）过滤排出的液体返回加入到所述研磨机（2）中循环利用。

4.如权利要求3所述介质研磨预处理氟硅酸铵分离氟硅元素装置，其特征在于，所述反应槽（3）内设有搅拌组件。

5.如权利要求3所述介质研磨预处理氟硅酸铵分离氟硅元素装置，其特征在于，所述送气管（5）与所述反应槽（3）之间设有饱和NH₄F溶液槽b（14），所述饱和NH₄F溶液槽b（14）与所述反应槽（3）之间经管路连通，且所述送气管（5）能够将所述氨气罐（4）中的氨气送入到所述饱和NH₄F溶液槽b（14）内形成混合液；所述饱和NH₄F溶液槽b（14）与所述反应槽（3）之间的管路能够将所述混合液输送入所述反应槽（3）内。

6.如权利要求3所述介质研磨预处理氟硅酸铵分离氟硅元素装置，其特征在于，所述静置沉降塔（7）包括呈透明状的罐体（7.1），所述罐体（7.1）底部设有SiO₂排管（7.3），所述SiO₂排管（7.3）与所述底层排出口连接，且在所述连接处设有第二阀门（7.4）；所述罐体（7.1）顶部设有抽液管（7.5），所述抽液管（7.5）插入到所述上层抽出口进入到所述罐体（7.1）内，且所述抽液管（7.5）与所述上层抽出口之间呈活动连接，所述抽液管（7.5）伸入到所述罐体（7.1）内的长度可调；所述抽液管（7.5）底端设有若干吸液孔（7.2），所述静置沉降塔（7）顶部设有送入管（7.6），所述送入管（7.6）与所述反应槽（3）之间经管路连通。