[发明专利]一种金属薄膜表面白点改善的方法在审
| 申请号： | 202111600384.7 | 申请日： | 2021-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114369791A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 牛江伟;席燕飞;蒋肖 | 申请（专利权）人： | 重庆四联特种装备材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/10;C23C14/18 |
| 代理公司： | 重庆飞思明珠专利代理事务所(普通合伙) 50228 | 代理人： | 苏娟 |
| 地址： | 400700 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 薄膜 表面 白点 改善 方法 | ||
1.一种金属薄膜表面白点改善的方法，其特征在于，
包括：采用无水乙醇、乙醚和碳酸钙对基底进行清理；
用等离子体辅助PVD方法在基底上依次沉积Cr粘接层和Cu反射层；
在Cu反射层上沉积SiO2保护层。
2.如权利要求1所述的一种金属薄膜表面白点改善的方法，其特征在于，
所述采用无水乙醇、乙醚和碳酸钙对基底进行清理的具体步骤是：
用1：3的无水乙醇和乙醚的混合液蘸碳酸钙擦拭基底；
对基底的清洁度进行检测。
3.如权利要求1所述的一种金属薄膜表面白点改善的方法，其特征在于，
所述基底的材料包括玻璃和蓝宝石。
4.如权利要求1所述的一种金属薄膜表面白点改善的方法，其特征在于，
所述用等离子体辅助PVD方法在基底上依次沉积Cr粘接层和Cu反射层的具体步骤是：
把基底放入真空室后，真空室本底真空度抽至1×10-3pa，烘烤温度150°，恒温时间40min，等离子体源为考夫曼离子源；
在基底上沉积Cr粘接层；
在Cr粘接层上沉积Cu或者Al反射层；
停止晶控，离子源继续轰击金属膜表面10-20min。
5.如权利要求4所述的一种金属薄膜表面白点改善的方法，其特征在于，
所述停止晶控，离子源继续轰击金属膜表面10-20min的工艺条件为：离子源的屏极电压为400V，加速电压为70V，离子束流为200mA，所用的气体为Ar。
6.如权利要求1所述的一种金属薄膜表面白点改善的方法，其特征在于，
所述Cr粘接层的厚度为50nm，所述Cu或者Al反射层的厚度为150～250nm。
7.如权利要求1所述的一种金属薄膜表面白点改善的方法，其特征在于，
所述SiO2保护层的厚度为90nm。
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