[发明专利]振荡器电路在审
| 申请号： | 202111602466.5 | 申请日： | 2021-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114257178A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 王润华;杨海玲;黄耀;王亚宁 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/12 | 分类号： | H03B5/12 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 振荡器 电路 | ||
1.一种振荡器电路，其特征在于，包括：
NP互补振荡电路；
变压器，包括主级线圈和次级线圈，所述主级线圈的一端连接电源电压，另一端与所述NP互补振荡电路的电压端连接，所述次级线圈的一端与所述NP互补振荡电路的接地端连接；
电流源管，构成电流源，漏极与所述次级线圈的另一端连接，源极接地，栅极用于接收电流控制信号；
电容，一端与所述次级线圈的另一端连接，另一端接地。
2.根据权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于，所述NP互补振荡电路包括PMOS管互耦对、NMOS管互耦对、可变电容对和固定电感，所述PMOS管互耦对的两个源极均与所述主级线圈的另一端连接，所述PMOS管互耦对的一个漏极与所述NMOS管互耦对的一个漏极连接，所述PMOS管互耦对的另一个漏极与所述NMOS管互耦对的另一个漏极连接，所述NMOS管互耦对的两个源极均与所述次级线圈的一端连接，所述可变电容对的一端与所述PMOS管互耦对的一个漏极连接，所述可变电容对的另一端与所述PMOS管互耦对的另一个漏极连接，所述固定电感的一端与所述NMOS管互耦对的一个漏极连接，所述固定电感的另一端与所述NMOS管互耦对的另一个漏极连接。
3.根据权利要求2所述的振荡器电路，其特征在于，所述PMOS管互耦对包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极均与所述主级线圈的另一端连接，所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的漏极连接，所述第二PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的漏极连接。
4.根据权利要求3所述的振荡器电路，其特征在于，所述NMOS管互耦对包括第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均与所述次级线圈的一端连接，所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的漏极连接。
5.根据权利要求4所述的振荡器电路，其特征在于，所述可变电容对包括第一可变电容和第二可变电容，所述第一可变电容的一端与所述第一PMOS管的漏极连接，所述第一可变电容另一端与所述第二可变电容的一端连接，所述第二可变电容的另一端与所述第二PMOS管的漏极连接。
6.根据权利要求4所述的振荡器电路，其特征在于，所述固定电感的一端与所述第一NMOS管的漏极连接，所述固定电感的另一端与所述第二NMOS管的漏极连接。
7.根据权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于，所述主级线圈的电感值为1pH-1nH。
8.根据权利要求7所述的振荡器电路，所述主级线圈的电感值为500pH。
9.根据权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于，所述次级线圈的电感值为1pH-1nH。
10.根据权利要求9所述的振荡器电路，其特征在于，所述次级线圈的电感值为500pH。
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