[发明专利]振荡器电路

说明书

本发明提供了一种振荡器电路，包括NP互补振荡电路、变压器、电流源管和电容，所述变压器包括主级线圈和次级线圈，所述主级线圈的一端连接电源电压，另一端与所述NP互补振荡电路的电压端连接，所述次级线圈的一端与所述NP互补振荡电路的接地端连接；所述电流源管的漏极与所述次级线圈的另一端连接，源极接地，栅极用于接收电流控制信号；所述电容的一端与所述次级线圈的另一端连接，另一端接地。采用了变压器提高所述NP互补振荡电路的相位噪声性能，提高了电感的品质因数，采用两个电感则需要布置在电路的一个平面内，而变压器的主级线圈和次级线圈是叠加在一起的，无需布置在一个平面上，降低了电路所占面积。

技术领域

本发明涉及振荡器技术领域，尤其涉及一种振荡器电路。

背景技术

使用电感电容压控振荡器(LC voltage-controlled oscillator，LC VCO)一般需要添加尾电流源或尾电阻阵列进行限流或者限幅。在LC VCO中，将一个大电容与电流源并联可以衰减二阶谐波频率处的电流源噪声成分，如图1所示。为了提高阻抗在图1所示结构的基础上，可以在电流源和互耦对的共源点之间插入一个电感，如图2所示。该电感与互耦对共源节点的寄生电容在二阶谐波频率处谐振，在该频率处提供一个高阻抗，所实现的阻抗大小依赖于电感的品质因子。这种高阻抗阻止了电流源在二阶谐波频率处的热噪声进入振荡器核，二阶谐波频率处的热噪声由与电流源并联的大电容短路到地，该电容必须足够大，使得在二阶谐波频率处，电流源漏级近似短路到地。该高阻抗还可以阻止线性区工作的互耦对晶体管给谐振回路引入损耗。插入的电感和与电流源并联的大电容组成的网络被称之为噪声滤波器。

但上述结构仅适用于NMOS管互耦对结构的LC VCO，但由于二阶谐波频率较高，导致该噪声滤波器中引入的电感值较小，这可能导致电感品质因数不够高，从而影响噪声滤波效果，且为了能够稳定谐振在二阶谐波频率处，共源点可能需要额外加入金属电容，则变量太多难以控制。并且该噪声滤波器结构并不适用于NP互补互耦对结构的LC VCO。

因此，有必要提供一种新型的振荡器电路以解决现有技术中存在的上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种振荡器电路，提高电感值以及电感的品质因数，降低电路所占面积。

为实现上述目的，本发明的所述振荡器电路，包括：

NP互补振荡电路；

变压器，包括主级线圈和次级线圈，所述主级线圈的一端连接电源电压，另一端与所述NP互补振荡电路的电压端连接，所述次级线圈的一端与所述NP互补振荡电路的接地端连接；

电流源管，构成电流源，漏极与所述次级线圈的另一端连接，源极接地，栅极用于接收电流控制信号；

电容，一端与所述次级线圈的另一端连接，另一端接地。

所述振荡器电路的有益效果在于：采用了变压器提高所述NP互补振荡电路的相位噪声性能，提高了电感的品质因数，采用两个电感则需要布置在电路的一个平面内，而变压器的主级线圈和次级线圈是叠加在一起的，无需布置在一个平面上，降低了电路所占面积。

可选地，所述NP互补振荡电路包括PMOS管互耦对、NMOS管互耦对、可变电容对和固定电感，所述PMOS管互耦对的两个源极均与所述主级线圈的另一端连接，所述PMOS管互耦对的一个漏极与所述NMOS管互耦对的一个漏极连接，所述PMOS管互耦对的另一个漏极与所述NMOS管互耦对的另一个漏极连接，所述NMOS管互耦对的两个源极均与所述次级线圈的一端连接，所述可变电容对的一端与所述PMOS管互耦对的一个漏极连接，所述可变电容对的另一端与所述PMOS管互耦对的另一个漏极连接，所述固定电感的一端与所述NMOS管互耦对的一个漏极连接，所述固定电感的另一端与所述NMOS管互耦对的另一个漏极连接。