[发明专利]一种晶圆烘箱有效
申请号: | 202111603307.7 | 申请日: | 2021-12-24 |
公开(公告)号: | CN114459217B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 高局;罗立辉;陈建江;潘超超 | 申请(专利权)人: | 宁波芯健半导体有限公司 |
主分类号: | F26B9/06 | 分类号: | F26B9/06;F26B25/06;F26B21/14;F26B25/00;H01L21/67 |
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地址: | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 烘箱 | ||
本申请涉及一种晶圆烘箱,包括烘箱箱体,所述烘箱箱体内开设有开口位于一侧的烘干腔,所述烘箱箱体于所述烘干腔内水平滑移插入有烘干支架,所述烘干支架中部竖直开设有贯通的加热通槽,所述烘干支架于所述加热通槽的两侧壁均匀开设有供晶圆竖直插入的安装插槽,所述烘箱箱体于所述烘干腔底部开设有氮气注入口,所述烘箱箱体于所述氮气注入口处设置有过滤组件,所述烘箱箱体于所述烘干腔远离开口的一侧壁开设有排气口,所述烘箱箱体外侧壁设置有连通于所述排气口的排气管道。本申请具有提高对晶圆的热处理效果等特点。
技术领域
本申请涉及芯片制造技术领域,尤其是涉及一种晶圆烘箱。
背景技术
目前,晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达99.999999999%。
在涂敷光刻胶之前,将洗净的基片表面涂上附着性增强剂或将基片放在惰性气体中进行热处理。这样处理是为了增加光刻胶与基片间的粘附能力,防止显影时光刻胶图形的脱落以及防止湿法腐蚀时产生侧面腐蚀(sideetching)。
上述中的相关技术方案存在以下缺陷:晶圆进行热处理时直接放置于烘箱内,其两面并不能够得到非常均匀的热处理效果。
发明内容
为了提高对晶圆的热处理效果,本申请提供一种晶圆烘箱。
本申请的上述目的是通过以下技术方案得以实现的:
一种晶圆烘箱,包括烘箱箱体,所述烘箱箱体内开设有开口位于一侧的烘干腔,所述烘箱箱体于所述烘干腔内水平滑移插入有烘干支架,所述烘干支架中部竖直开设有贯通的加热通槽,所述烘干支架于所述加热通槽的两侧壁均匀开设有供晶圆竖直插入的安装插槽,所述烘箱箱体于所述烘干腔底部开设有氮气注入口,所述烘箱箱体于所述氮气注入口处设置有过滤组件,所述烘箱箱体于所述烘干腔远离开口的一侧壁开设有排气口,所述烘箱箱体外侧壁设置有连通于所述排气口的排气管道。
通过采用上述技术方案,当通过该晶圆烘箱对晶圆进行热处理时,将晶圆竖直插入烘干支架的安装插槽内,随后将烘干支架沿着烘干腔的开口水平插入,然后关闭烘干腔,通过氮气注入口向烘干腔内注入氮气,氮气在进入烘干腔时先穿过过滤组件,通过过滤组件对氮气进行洁净,当整个烘干腔内充满氮气时,启动烘箱,通过高温对晶圆进行加热,一端时间后热处理结束,通过排气口将氮气排出并等待晶圆冷却,最后将整个烘干支架从烘干腔内取出,再取出完成热处理的晶圆。该方案中通过设置烘干支架,使得安装在烘干支架上的晶圆呈间隔排布,且可以更加的接触面积进行加热热处理,从而有效的提高热处理效果。
优选的,所述烘箱箱体于所述烘干腔两侧壁水平设置有滑轨,所述滑轨由靠近所述烘干腔开口一侧至所述排气口一侧延伸,所述烘干支架两侧端设置有抵接于所述滑轨上端且沿所述滑轨长度方向滑移的滑片,所述滑轨远离所述排气口的一端向上弯曲。
通过采用上述技术方案,当烘干支架水平插入烘箱箱体内时,将烘干支架两侧端的滑片抵接在滑轨上,然后向内进行滑移,便可稳定的插入烘干支架,同时将滑轨靠近烘干腔开口的一端设置成向上弯曲状,从而对滑片进行限位,使得滑片不会轻易从滑轨上滑出,更加阿全。
优选的,所述过滤组件包括固定于烘箱箱体内的过滤框以及插接固定于所述过滤框内的过滤芯,所述过滤芯的的两侧端设置有多组弹簧组,所述弹簧组远离所述过滤芯的一端设置有抵接于所述过滤框内侧壁的定位板。
通过采用上述技术方案,过滤组件包括过滤框和过滤芯,过滤芯插接在过滤框内,弹簧组抵接柱定位板,使得定位板抵紧在过滤框的内壁,从而将过滤芯固定,当一端时间后可将过滤芯取下进行更换,从而保证过滤组件对氮气的过滤,减小烘干腔内的杂质,进而进一步的保证热处理的效果。
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