[发明专利]一种沿b轴厚度为40～100nm的片状丝光沸石的合成方法

权利要求书

1.一种沿b轴厚度为40～100nm的片状丝光沸石的合成方法，其特征在所述方法由下述步骤组成：

(1)按照摩尔比SiO₂/Al₂O₃＝15～50、NaOH/SiO₂＝0.2～0.4、TEAOH/SiO₂＝0.03～0.07、HMI/SiO₂＝0.3～0.6、H₂O/SiO₂＝30～50，其中TEAOH代表四乙基氢氧化铵，HMI代表环己亚胺，将氢氧化钠溶解于去离子水，在搅拌状态下加入偏铝酸钠，搅拌均匀后逐滴加入二氧化硅溶胶，继续搅拌40～90分钟，再逐滴加入四乙基氢氧化铵和环己亚胺，继续搅拌40～90分钟，得到凝胶；

(2)将步骤(1)中凝胶置于反应釜内，在搅拌状态下145～155℃晶化9～14天；晶化结束之后，抽滤洗涤至中性，于110～120℃干燥12～15小时，干燥结束后置于马弗炉中500～600℃焙烧5～8小时；

(3)将步骤(2)焙烧后得到的固体粉末用硝酸铵水溶液在70～80℃进行离子交换三次，去离子水水洗至中性，于110～120℃干燥12～15小时，干燥结束后置于马弗炉中500～600℃焙烧5～8小时，得到沿b轴厚度为40～100nm的片状丝光沸石。

2.根据权利要求1所述的沿b轴厚度为40～100nm的片状丝光沸石的合成方法，其特征在：步骤(1)中，摩尔比SiO₂/Al₂O₃＝20～30、NaOH/SiO₂＝0.30～0.35、TEAOH/SiO₂＝0.03～0.05、HMI/SiO₂＝0.3～035、H₂O/SiO₂＝35～45。

3.根据权利要求1所述的沿b轴厚度为40～100nm的片状丝光沸石的合成方法，其特征在：步骤(2)中，在50～80转/分钟搅拌状态下150℃晶化10～12天。

4.根据权利要求1所述的沿b轴厚度为40～100nm的片状丝光沸石的合成方法，其特征在：步骤(2)和(3)中，550℃焙烧6小时。

5.根据权利要求1或4所述的沿b轴厚度为40～100nm的片状丝光沸石的合成方法，其特征在：步骤(2)和(3)中，焙烧的升温速率为1～3℃/分钟。

6.根据权利要求1或4所述的沿b轴厚度为40～100nm的片状丝光沸石的合成方法，其特征在：步骤(3)中，所述硝酸铵水溶液的浓度为1mol/L。