[发明专利]一种电连接器用封接玻璃坯及其制备方法

说明书

一种电连接器用封接玻璃坯及其制备方法，其特征是：其组成和各组分的质量百分比例包括SiO₂：66~75%，B₂O₃：16~25%，P₂O₅：0.1~2.0%，Al₂O₃：0.1~3.9%，CaO：1~6%，MgO：1~6%，CaO+MgO：2~8%，MnO₂：0.1~2%，SrF₂：0.1~2%，SnO₂/Sb₂O₃：0.1~2%，B₂O₃/(SiO₂+Al₂ O₃)：0.13~0.35。采用这种氧化物成分配比制备出的封接玻璃坯，具有尺寸精度高、封接件内部气泡少、封接强度高、电气性能好等优势，5GHz频率时的相对介电常数≤4.5，介电损耗≤3×10^‑3，封接温度低至880~900℃，封接气密性≤1.0×10^‑7 Pa·cm³/s，适宜用作高频条件下电连接器的准确定位封接及超长尺寸的封接玻璃，以降低电子器件的阻抗延时及信号传输损失。

技术领域

本发明属玻璃制备技术领域，涉及电子玻璃领域，具体涉及一种电连接器用封接玻璃坯及其制备方法。

背景技术

随着电子工业技术的高速发展，电连接器的作用越来越重要。电连接器广泛应用于电子通信、航空航天、国防军工等高科技领域中，其精密化程度和工作可靠性直接影响相关电子设备电路的正常工作。因此，电连接器对封接玻璃的质量和可靠性要求越来越高。

近年来，射频连接器、微波器件等工作频率范围大幅提高，为了降低由此带来的阻抗延时及功率损耗，除了采用低电阻率金属外，可采用低介电材料作互连介质来满足使用需要，低介电封接玻璃就是一种理想候选材料。信号传输过程中使用的电磁波频率已经GHz以上，材料的介电常数越小则信号的传播速率越快；材料的介电损耗越小则其在固定传播频率下的传播损失就越小。因此，就需要电连接器用封接玻璃具有较低的介电常数和介电损耗。

但是，目前国内高端电连接器用封接玻璃主要被国外厂商垄断，成为制约下游产业发展的技术瓶颈，影响我国相关产业链安全。目前国内电连接器用封接玻璃主要存在的问题包括：1、封接玻璃的介电常数和介电损耗较高，难以满足高端电连接器对介电性能的使用要求；2、封接玻璃以造粒粉形式存在，这就需要使用喷雾造粒工艺，但该生产工艺能耗高、成品率低；3、传统封接造粒粉需要在后续的使用过程中使用制坯、排蜡等工序，封接工艺复杂，且封接后极易存在气泡、排胶不彻底等问题；4、封接玻璃易出现与被封接件界面相容性不好的问题，以及封接温度偏高，这都影响了器件封接效果。

发明内容

针对目前电连接器用封接玻璃实际存在的问题，本发明开发出一种电连接器用封接玻璃坯及其制备方法。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：

一种电连接器用封接玻璃坯，其特征在于由以下质量百分比的氧化物制成， SiO₂ 66~75%，B₂O₃ 16~25%，P₂O₅ 0.1~2.0%，Al₂O₃ 0.1~3.9%，CaO 1~6%，MgO 1~6%，CaO+MgO 2~8%，MnO₂ 0.1~2%，SrF₂ 0.1~2%，SnO₂/Sb₂O₃ 0.1~2%，B₂O₃/(SiO₂+Al₂ O₃) 0.25~0.35。