[发明专利]一种高光洁度电子金属结构件表面加工工艺

权利要求书

1.一种高光洁度电子金属结构件表面加工工艺，其特征在于：包括如下步骤：步骤一、按照电子金属结构件的配料表，进行配料的选取以及并按照对应的比例；

步骤二、将选取的配料进行熔融混合形成混合液，并倒入到模具中进行制造形成胚料；

步骤三、通过机械加工对制作完成电子金属结构件胚料进行加工，使之形成对应的形状和尺寸，形成初胚；

步骤四、对初胚进行进一步的加工机械打磨抛光以及后续的电子束轰击抛光，将其加工成中胚；

步骤五、对中胚进行电子束物理气象沉积制作涂层。

2.如权利要求1所述的一种高光洁度电子金属结构件表面加工工艺，其特征在于：在步骤一和步骤二中，根据配料表上料设备将各个配料按照各自对应的比例投入到融化混合设备中，融化混合设备通过加热到高温状态下，对内部的各个排料进行混合，并通过内部的搅拌设备对其进行搅拌混合，使之进行熔融混合形成混合液。

3.如权利要求1所述的一种高光洁度电子金属结构件表面加工工艺，其特征在于：在步骤二中，熔融状态下的混合液被导管导入到电子金属结构件的模具中进行浇筑，并通过浇筑的方式填充整个模具型腔，再对整个模具进行冷却，使其冷却成型形成电子金属结构件胚料。

4.如权利要求1所述的一种高光洁度电子金属结构件表面加工工艺，其特征在于：在步骤三中，通过车床、钻床以及铣床对电子金属结构件进行模具铸造时的边角料、瑕疵进行处理，使之形成对应的形状和尺寸，将其作为初胚。

5.如权利要求4所述的一种高光洁度电子金属结构件表面加工工艺，其特征在于：在步骤四中，对初胚通过磨床对其进行机械打磨和抛光，其中打磨和抛光时采用的压力为5～50kg。

6.如权利要求5所述的一种高光洁度电子金属结构件表面加工工艺，其特征在于：在步骤四中，其中上述打磨采用粒径为5～16um的碳化硼抛光液，打磨时间为10～120min，其中上述抛光采用粒径为0.3～5um的碳化硼抛光液，抛光时间为10～240min。

7.如权利要求1所述的一种高光洁度电子金属结构件表面加工工艺，其特征在于：在步骤四中，在电子束物理气象沉积设备上，先开启电子束轰击部分，对电子金属结构件的初胚进行进一步的轰击抛光，使之形成中胚。

8.如权利要求7所述的一种高光洁度电子金属结构件表面加工工艺，其特征在于：在步骤五中，在上述电子束物理气象沉积设备上，同时开启电子束轰击部分以及物理气象沉积部分，对上一部抛光形成的中胚进行涂层制作。