[发明专利]发光器件、发光器件的制备方法及显示装置

权利要求书

1.一种发光器件，其特征在于，包括：

阳极；

阴极，与所述阳极相对设置；

发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及

电子传输层，设置于所述发光层与所述阴极之间；

其中，所述电子传输层的材料包括具有PN异质结的半导体材料，所述半导体材料包括内核以及包覆所述内核的外壳，所述内核的材料包括ZnTe，所述外壳的材料包括ZnO。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述ZnTe的粒径为8nm至15nm，所述ZnO的粒径为3nm至6nm，所述半导体材料的粒径为11nm至21nm。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料还包括第一配体，所述第一配体连接于所述半导体材料的表面。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第一配体选自碳原子数为1至10的巯基醇、碳原子数为1至10的巯基胺或碳原子数为1至10的巯基酸中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述碳原子数为1至10的巯基醇选自2-巯基乙醇、3-巯基-1-丙醇、4-巯基-1-丁醇、5-巯基-1-戊醇或6-巯基-1-己醇中的至少一种；所述碳原子数为1至10的巯基胺选自2-巯基乙胺、3-巯基丙胺、4-巯基丁胺、5-巯基戊胺、6-巯基己胺或2-氨基-3-巯基丙酸中的至少一种；所述碳原子数为1至10的巯基酸选自2-巯基乙酸、3-巯基丙酸、4-巯基丁酸、巯基丁二酸、6-巯基己酸、4-巯基苯甲酸或半胱氨酸中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料包括有机发光材料或量子点；

其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；

所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；

当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述量子点的组分选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS₂、CuInSe₂或AgInS₂中的至少一种。