[发明专利]发光器件、发光器件的制备方法及显示装置

说明书

本申请公开了一种发光器件、发光器件的制备方法及显示装置，所述发光器件包括阳极、阴极、发光层和电子传输层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间，电子传输层设置于发光层与阴极之间，电子传输层的材料包括具有PN异质结的半导体材料，所述半导体材料中内核的材料包括ZnTe，外壳的材料包括ZnO，有效地提高了电子传输层的稳定性，并实现发光器件的电子注入效率可控，从而提升了发光器件的综合性能，将所述发光器件应用于显示装置中，有利于提高显示装置的显示效果和稳定性。

技术领域

本申请涉及光电技术领域，具体涉及一种发光器件、发光器件的制备方法及显示装置。

背景技术

发光器件包括但不限于有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)和量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)，发光器件为“三明治”结构，即包括阳极、阴极以及发光层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间。发光器件的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。

目前，发光器件存在载流子注入不平衡的问题，以QLED为例，QLED的电子注入通常大于空穴注入，造成发光层出现电子积累的现象，从而增大非发光复合的几率(例如俄歇复合)而损失能量，对发光器件的稳定性造成不利影响，导致发光器件在运作过程中出现性能衰减的问题，例如：发光效率下降、使用寿命缩短等。

因此，如何改善发光器件的载流子注入不平衡问题，对发光器件的应用与发展具有重要意义。

发明内容

本申请提供了一种发光器件、发光器件的制备方法及显示装置，以改善发光器件因载流子注入不平衡而引起的发光效率下降和使用寿命缩短的问题。

本申请的技术方案如下：

第一方面，本申请提供了一种发光器件，包括：

阳极；

阴极，与所述阳极相对设置；

发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及

电子传输层，设置于所述发光层与所述阴极之间；

其中，所述电子传输层的材料包括具有PN异质结的半导体材料，所述半导体材料包括内核以及包覆所述内核的外壳，所述内核的材料包括ZnTe，所述外壳的材料包括ZnO。

进一步地，所述ZnTe的粒径为8nm至15nm，所述ZnO的粒径为3nm至6nm，所述半导体材料的粒径为11nm至21nm。

进一步地，所述电子传输层的材料还包括第一配体，所述第一配体连接于所述半导体材料的表面。

进一步地，所述第一配体选自碳原子数为1至10的巯基醇、碳原子数为1至10的巯基胺或碳原子数为1至10的巯基酸中的至少一种。

进一步地，所述碳原子数为1至10的巯基醇选自2-巯基乙醇、3-巯基-1-丙醇、4-巯基-1-丁醇、5-巯基-1-戊醇或6-巯基-1-己醇中的至少一种；所述碳原子数为1至10的巯基胺选自2-巯基乙胺、3-巯基丙胺、4-巯基丁胺、5-巯基戊胺、6-巯基己胺或2-氨基-3-巯基丙酸中的至少一种；所述碳原子数为1至10的巯基酸选自2-巯基乙酸、3-巯基丙酸、4-巯基丁酸、巯基丁二酸、6-巯基己酸、4-巯基苯甲酸或半胱氨酸中的至少一种。

进一步地，所述发光层的材料为有机发光材料或量子点；

其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；