[发明专利]一种薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置在审
申请号: | 202111616627.6 | 申请日: | 2021-12-27 |
公开(公告)号: | CN116367584A | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 张天朔 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H10K50/16 | 分类号: | H10K50/16;H10K71/12;H10K71/15;H10K59/10 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 赵楠 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 及其 制备 方法 光电 器件 显示装置 | ||
1.一种薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供承载界面;
利用第一溶液在所述承载界面上形成电子传输预制层,所述第一溶液包括第一电子传输材料和第一溶剂;
将第二溶剂施加于所述电子传输预制层表面,以得到薄膜;
其中,所述第一电子传输材料为极性第一材料,所述第一溶剂为极性溶剂,所述第二溶剂为非极性溶剂;或者,所述第一电子传输材料为非极性第一材料,所述第一溶剂为非极性溶剂,所述第二溶剂为极性溶剂。
2.根据权利要求1所述的薄膜的制备方法,其特征在于,所述利用第一溶液在所述承载界面上形成电子传输预制层,包括:利用湿法制膜的方式在所述承载界面上以第一方向沉积所述第一溶液;
所述将第二溶剂施加于所述电子传输预制层表面,包括:利用湿法制膜的方式在所述电子传输预制层上以第二方向沉积所述第二溶剂,其中,所述第二方向与所述第一方向相反。
3.根据权利要求2所述的薄膜的制备方法,其特征在于,所述利用湿法制膜的方式在所述承载界面上以第一方向沉积所述第一溶液,其中,沉积时间为10s~15s;和/或
所述利用湿法制膜的方式在所述电子传输预制层上以第二方向沉积所述第二溶剂,其中,所述沉积时间为20s~30s。
4.根据权利要求2所述的薄膜的制备方法,其特征在于,所述利用湿法制膜的方式在所述承载界面上以第一方向沉积所述第一溶液,其中,所述湿法制膜的方式包括:旋涂、刮刀、丝网印刷、喷雾、喷墨印刷、浸渍涂敷的任一种;和/或
所述利用湿法制膜的方式在所述电子传输预制层上以第二方向沉积所述第二溶剂,其中,所述湿法制膜的方式包括:旋涂、刮刀、丝网印刷、喷雾、喷墨印刷、浸渍涂敷的任一种。
5.根据权利要求4所述的薄膜的制备方法,其特征在于,所述利用湿法制膜的方式在所述承载界面上以第一方向沉积所述第一溶液,其中,采用旋涂时,旋涂工艺参数为:旋涂转速为3000rpm~5000rpm;和/或
所述利用湿法制膜的方式在所述电子传输预制层上以第二方向沉积所述第二溶剂,其中,采用旋涂时,旋涂工艺参数为:旋涂转速为10000rpm~12000rpm。
6.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜的制备方法,其特征在于,所述第一溶液的浓度为35mg/mL~40mg/mL;和/或
所述第一溶剂与所述第二溶剂的体积比为(8~20):1。
7.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜的制备方法,其特征在于,
所述极性第一材料为介电常数大于3的第一电子传输材料;和/或
所述极性溶剂为介电常数大于3的有机溶剂;和/或
所述非极性第一材料为介电常数小于3的第一电子传输材料;和/或
所述非极性溶剂为介电常数小于3的有机溶剂。
8.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜的制备方法,其特征在于,所述极性第一材料为具有第一配体的金属氧化物,其中,所述第一配体为包括第一活性基团的第一烷基,其中,所述第一活性基团为羟基、羧基、胺基或者醛基的任一种,所述第一烷基的碳原子数为0-18,0表示所述第一活性基团直接与所述金属氧化物相连;和/或,所述金属氧化物为氧化锌、二氧化钛、钛酸钡、掺铝氧化锌、掺锂氧化锌或掺镁氧化锌的任一种;和/或
所述极性溶剂为含有不超过四个碳原子的酰胺类化合物、酸类化合物、醛类化合物或醇类化合物的任一种;和/或
所述非极性溶剂为甲苯、环己烷、四氯化碳、三氯乙烯或氯苯的任一种。
9.根据权利要求8所述的薄膜的制备方法,其特征在于,所述第一活性基团为羟基、胺基时,所述第一烷基的碳原子数为0~18;和/或
所述第一活性基团为羧基、醛基时,所述第一烷基的碳原子数为2~18。
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