[发明专利]一种薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置

说明书

本申请提供一种薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置，其方法包括：提供承载界面；利用第一溶液在承载界面上形成电子传输预制层，第一溶液包括第一电子传输材料和第一溶剂；将第二溶剂施加于电子传输预制层表面，以得到薄膜；其中，第一电子传输材料为极性第一材料，第一溶剂为极性溶剂，第二溶剂为非极性溶剂；或者，第一电子传输材料为非极性第一材料，第一溶剂为非极性溶剂，所述第二溶剂为极性溶剂。本申请通过控制晶胞尺寸改善薄膜最终成膜质量，使得载流子易于迁移，提升电子传输能力。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种薄膜及其制备方法、一种光电器件及其制备方法和一种显示装置。

背景技术

量子点电致发光一种新型的固态照明技术，具备低成本、重量轻，响应速度快，色彩饱和度高等优点，拥有广阔的发展前景，已成为新一代LED照明的重要研究方向之一。

现有QLED主要结构为阴极、阳极、空穴/电子传输层以及量子点发光层，电子传输层作为重要的载流子传输层，其形态学(成膜状态)以及迁移率都是对器件整体性能有一定影响的参数。通常利用溶液法沉积制备电子传输层，而因成膜、结晶化以及总沉积时长的不统一，会导致晶体过度生长。例如：在成膜阶段，当溶剂彻底干燥晶体即会停止生长，通常此步骤会利用旋涂完成后的烘烤来进行，但此时后半段的旋涂以及烘烤阶段的缓慢蒸发使得晶胞已经增大，即导致晶体过度生长，使晶胞间隙增大，最终不能达到所需要的形态学需求，造成膜后平整度较差，影响电子传输层的传输性能。

发明内容

本申请提供一种薄膜及其制备方法、光电器件及其制备方法和显示装置，控制第一电子传输材料的晶胞尺寸，改善结晶状态，提升薄膜的电子传输能力。

本申请第一个方面为提供一种薄膜的制备方法，其包括如下步骤：

提供承载界面；

利用第一溶液在所述承载界面上形成电子传输预制层，所述第一溶液包括第一电子传输材料和第一溶剂；

将第二溶剂施加于所述电子传输预制层表面，以得到薄膜；

其中，所述第一电子传输材料为极性第一材料，所述第一溶剂为极性溶剂，所述第二溶剂为非极性溶剂；或者，所述第一电子传输材料为非极性第一材料，所述第一溶剂为非极性溶剂，所述第二溶剂为极性溶剂。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述利用第一溶液在所述承载界面上形成电子传输预制层，包括：利用湿法制膜的方式在所述承载界面上以第一方向沉积所述第一溶液；

所述将第二溶剂施加于所述电子传输预制层表面，包括：利用湿法制膜的方式在所述电子传输预制层上以第二方向沉积所述第二溶剂，其中，所述第二方向与所述第一方向相反。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述利用湿法制膜的方式在所述承载界面上以第一方向沉积所述第一溶液，其中，沉积时间为10s～15s；和/或，所述利用湿法制膜的方式在所述电子传输预制层上以第二方向沉积所述第二溶剂，其中，所述沉积时间为20s～30s。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述利用湿法制膜的方式在所述承载界面上以第一方向沉积所述第一溶液，其中，所述湿法制膜的方式包括：旋涂、刮刀、丝网印刷、喷雾、喷墨印刷、浸渍涂敷的任一种；和/或

所述利用湿法制膜的方式在所述电子传输预制层上以第二方向沉积所述第二溶剂，其中，所述湿法制膜的方式包括：旋涂、刮刀、丝网印刷、喷雾、喷墨印刷、浸渍涂敷的任一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述利用湿法制膜的方式在所述承载界面上以第一方向沉积所述第一溶液，其中，采用旋涂时，旋涂工艺参数为：旋涂转速为3000rpm～5000rpm；和/或

所述利用湿法制膜的方式在所述电子传输预制层上以第二方向沉积所述第二溶剂，其中，采用旋涂时，旋涂工艺参数为：旋涂转速为10000rpm～12000rpm。