[发明专利]阵列基板、OLED面板及OLED面板的制作方法

说明书

本申请公开了阵列基板、OLED面板及OLED面板的制作方法，其中，阵列基板包括包括基板，基板上设有多条相互垂直的数据线和栅极线，数据线和栅极线交叉限定出多个像素区域，每个像素区域内设有一像素及控制像素的驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管，开关薄膜晶体管与数据线、栅极线以及驱动薄膜晶体管连接，驱动薄膜晶体管还与电源线以及像素连接，其中，驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅大于开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅。通过上述结构，改善了画质不均衡问题。

技术领域

本发明涉及显示面板领域，特别是涉及阵列基板、OLED面板及OLED面板的制作方法。

背景技术

平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示装置主要包括液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)及有机电致发光器件(OrganicElectroluminescenceDevice，OELD)显示器，有机电致发光器件显示器也称为有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)显示器。其中，OLED显示器相对于液晶显示器来说，更加轻薄、省电。

但是，现有的OLED显示器是由电流控制驱动的器件，因此OLED面板的显示画面容易受电流的影响。现有的OLED显示器中，随栅极线的电压变动，会产生一定的电流变化，从而容易导致画质显示不均衡的现象发生。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种阵列基板、OLED面板及OLED面板的制作方法，以改善画质不均衡问题。

为解决上述问题，本申请提供了一种阵列基板第一实施例，包括基板，所述基板上设有多条相互垂直的数据线和栅极线，所述数据线和所述栅极线交叉限定出多个像素区域，每个所述像素区域内设有一像素及控制所述像素的驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管与所述数据线、所述栅极线以及所述驱动薄膜晶体管连接，所述驱动薄膜晶体管还与电源线以及所述像素连接，其中，所述驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅大于所述开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅。

因此，通过将驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅设计成大于开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅，可以减小驱动薄膜晶体管的漏极电流随栅极电压变化的变化量，从而提升画质的均衡性。

优选的，所述驱动薄膜晶体管的沟道的长度小于所述开关薄膜晶体管的沟道的长度。

因此，通过减小驱动薄膜晶体管的沟道长度或增加开关薄膜晶体管的沟道长度，可以使驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅大于开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅。

优选的，所述开关薄膜晶体管包括：开关有源层，设置于基板上；开关栅极绝缘层，覆盖于所述开关有源层的部分表面；开关栅极，连接所述栅极线，覆盖于所述开关栅极绝缘层远离所述开关有源层的表面；开关层间电介质层，覆盖于所述开关栅极的表面以及所述开关栅极绝缘层的侧边；开关源极，连接所述数据线，且与所述开关有源层的一端连接，设置于所述开关层间电介质层的一侧，以通过所述开关层间电介质层与所述开关栅极间隔设置；开关漏极，与所述开关有源层的另一端连接，设置于所述开关层间电介质层的另一侧，以通过所述开关层间电介质层与所述开关栅极间隔设置，且与所述开关源极分别位于所述开关栅极的两端；所述驱动薄膜晶体管包括：驱动有源层，设置于基板上；驱动栅极绝缘层，覆盖于所述驱动有源层的部分表面；驱动栅极，连接所述开关漏极，覆盖于所述驱动栅极绝缘层远离所述驱动有源层的表面；驱动层间电介质层，覆盖于所述驱动栅极的表面以及所述驱动栅极绝缘层的侧边；驱动源极，连接所述电源线，且与所述驱动有源层的一端连接，设置于所述驱动层间电介质层的一侧，以通过所述驱动层间电介质层与所述驱动栅极间隔设置；驱动漏极，连接所述像素，与所述驱动有源层的另一端连接，设置于所述驱动层间电介质层的另一侧，以通过所述驱动层间电介质层与所述驱动栅极间隔设置，且与所述驱动源极分别位于所述驱动栅极的两端；其中，所述驱动栅极绝缘层与所述驱动有源层的连接处在所述驱动源极和所述驱动漏极之间的长度小于所述开关栅极绝缘层与所述开关有源层的连接处在所述开关源极和所述开关漏极之间的长度。