[发明专利]抽气环及半导体处理装置

权利要求书

1.一种抽气环，适用于半导体处理装置的腔体中，其特征在于，包含：一第一环形通道；及一第二环形通道，与所述第一环形通道迭层配置，且所述第一环形通道与所述第二环形通道经由多个孔相互连通。

2.根据权利要求1所述之抽气环，还包含一表面，其特征在于，所述表面形成有多个第一孔，所述多个第一孔与第一环形通道连通。

3.根据权利要求2所述之抽气环，其特征在于，所述多个第一孔沿着所述表面分布，且所述多个第一孔中的任何相邻孔的间距均相同。

4.根据权利要求1所述之抽气环，还包含位于所述第一环形通道和所述第二环形通道之间的一隔板，其特征在于，所述隔板形成有多个第二孔，使所述第一环形通道与所述第二环形通道经由所述多个第二孔相互连通。

5.根据权利要求4所述之抽气环，还包含一排气出口，其特征在于，所述多个第二孔中靠近所述排气出口的部分第二孔的孔径小于远离所述排气出口的另一部分第二孔的孔径。

6.根据权利要求5所述之抽气环，其特征在于，所述多个第二孔中靠近所述排气出口的部分第二孔的孔间距大于远离所述排气出口的另一部分第二孔的孔间距。

7.根据权利要求6所述之抽气环，其特征在于，所述多个第二孔的孔间距和孔径为不一致，所述多个第二孔的数量为40至100个，孔径为3至6mm。

8.一种半导体处理装置，包含：一腔体，具有一壁部，其特征在于，所述壁部定义一腔室；一晶圆承载盘，配置成在所述腔室中的一处理位置和一输送位置之间升降移动；根据权利要求1至7任意一项所述的抽气环，固定至所述腔体的壁部并围绕着所述晶圆承载盘。

9.根据权利要求8所述之半导体处理装置，其特征在于，所述抽气环面对所述晶圆承载盘的一表面贴附有一内衬。

10.根据权利要求8所述之半导体处理装置，其特征在于，所述抽气环的材料选自铝、陶瓷或其组合。