[发明专利]抽气环及半导体处理装置

说明书

本发明揭露一种抽气环，适用于半导体处理装置的腔体中，包含：一第一环形通道；及一第二环形通道，与所述第一环形通道迭层配置，且所述第一环形通道与所述第二环形通道经由多个孔相互连通。此外本发明还揭示了一种半导体处理装置。

技术领域

本发明涉及一种用于半导体处理装置，特别涉及一种抽气环及包含所述抽气环的半导体处理装置。

背景技术

半导体设备进行沉积反应时，反应气体经过喷淋头达到腔室内，然后通过抽气环将反应后的多余气体抽离腔室。抽气的均匀性为影响反应成膜厚度均匀性的其中一关键因素，所以需要能够均匀抽气的抽气环，才能确保沉积薄膜的质量。

实用新型专利文献第CN204080101U号公开一种抽气环及沉积设备，其中抽气环包括慢速抽气区域和快速抽气区域。由于慢速抽气区域的抽气孔的密度大于快速抽气区域的抽气孔的密度，能够改变抽气时气体的分布情况，使反应气体在沉积的过程中(被抽出之前)可均匀分布在晶圆的表面。所述揭露所提出的沉积设备是利用将快速抽气区域设置于抽气口的对应处，藉此在抽气的过程中可能够起到平衡气体流量的作用，改善反应气体在晶圆表面的分布情况，保持较佳的晶圆沉积薄膜厚度均匀性。

类似地，美国公开专利文献US20200378402A1也揭露了一种抽气环，其利用双层排气孔的堆栈设计来决定快速抽气和慢速抽气的路径，藉此改善沉积薄膜在晶圆上的均匀性。

因此，如何优化半导体处理装置中的排气结构，如抽气环的结构，成为本领域亟待解决的其中一课题。

发明内容

本发明目的在于提供一种抽气环及半导体处理装置，以优化半导体处理装置中的排气结构。

本发明提供的抽气环，适用于半导体处理装置的腔体中，包含：一第一环形通道；及一第二环形通道，与所述第一环形通道迭层配置，且所述第一环形通道与所述第二环形通道经由多个孔相互连通。

所述抽气环的有益效果在于：利用所述第一环形通道、所述第二环形通道形成的迭层配置抽气通道，优化了半导体处理装置中的排气结构。

可选地，所述表面形成有多个第一孔，所述多个第一孔与第一环形通道连通。

可选地，所述多个第一孔沿着所述表面分布，且所述多个第一孔中的任何相邻孔的间距均相同。

可选地，还包含位于所述第一环形通道和所述第二环形通道之间的一隔板，所述隔板形成有多个第二孔，使所述第一环形通道与所述第二环形通道经由所述多个第二孔相互连通。

可选地，还包含一排气出口，其特征在于，所述多个第二孔中靠近所述排气出口的部分第二孔的孔径小于远离所述排气出口的另一部分第二孔的孔径。

可选地，所述多个第二孔中靠近所述排气出口的部分第二孔的孔间距大于远离所述排气出口的另一部分第二孔的孔间距。

可选地，所述多个第二孔的孔间距和孔径为不一致，所述多个第二孔的数量为40至100个，孔径为3至6mm。

此外，本发明还提供了一种半导体处理装置，包含：一腔体，具有一壁部，所述壁部定义一腔室；一晶圆承载盘，配置成在所述腔室中的一处理位置和一输送位置之间升降移动；根据所述抽气环，固定至所述腔体的壁部并围绕着所述晶圆承载盘。

可选地，所述半导体处理装置的有益效果在于：根据所述抽气环，固定至所述腔体的壁部并围绕着所述晶圆承载盘，所述抽气环具有所述第一环形通道、所述第二环形通道形成的迭层配置抽气通道，优化了所述半导体处理装置中的排气结构。

可选地，所述抽气环面对所述晶圆承载盘的一表面贴附有一内衬。

可选地，所述抽气环的材料选自铝、陶瓷或其组合。

附图说明

图1显示本发明半导体处理装置的剖面示意图。