[发明专利]一种利用浅槽沟道隔离制造电源线的方法

权利要求书

1.一种利用浅槽沟道隔离制造电源线的方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供基底，所述基底包括PMOS区域和NMOS区域，所述PMOS区域用于形成PMOS管，所述NMOS区域用于形成NMOS管；

在所述PMOS区域和所述NMOS区域形成鳍片；

在所述鳍片间填充隔离材料，形成浅沟槽隔离；

在所述浅沟槽隔离中刻蚀出沟槽；

在所述沟槽内掩埋电源线。

进行后续工艺。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成浅沟槽隔离之后和刻蚀出沟槽之前还包括：

对PMOS区域和NMOS区域内的半导体材料分别进行离子注入。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在离子注入之后和刻蚀出沟槽之前还包括：

回刻浅沟槽隔离使鳍片裸露。

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，刻蚀出沟槽的过程包括：

先在浅沟槽隔离表面形成掩模层；

然后结合光刻和刻蚀在在所述浅沟槽隔离中刻蚀出沟槽。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述沟槽内掩埋电源线的过程包括：

先在沟槽内形成绝缘层侧壁；

然后填充电源线材料，再回刻至预定厚度，形成电源线层；

之后在电源线层表面形成绝缘保护层；

去除掩模层；

然后用隔离材料填平所述沟槽。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述离子注入时，先在表面覆盖氮化硅作为保护层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述后续工艺包括：形成栅极、制作接触孔、实现金属互连。

8.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括PMOS区域和NMOS区域；

在所述PMOS区域和所述NMOS区域形成有鳍片；

所述鳍片之间形成有浅沟槽隔离；

所述浅沟槽隔离内掩埋有电源线。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述电源线与浅沟槽隔离之间由绝缘侧壁隔离。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘侧壁采用氧化物、氮氧化物或氮化钛。

11.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述电源线采用钨。

12.权利要求1-7任一项所述的半导体结构或者采用权利要求9-11任一项所述的方法制造的结构在半导体器件中的应用。

13.权利要求1-7任一项所述的半导体结构或者采用权利要求9-11任一项所述的方法制造的结构在存储器中的应用。