[发明专利]一种利用浅槽沟道隔离制造电源线的方法

说明书

本发明涉及一种利用浅槽沟道隔离制造电源线的方法。一种利用浅槽沟道隔离制造电源线的方法，包括下列步骤：提供基底，所述基底包括PMOS区域和NMOS区域，所述PMOS区域用于形成PMOS管，所述NMOS区域用于形成NMOS管；在所述PMOS区域和所述NMOS区域形成鳍片；在所述鳍片间填充隔离材料，形成浅沟槽隔离；在所述浅沟槽隔离中刻蚀出沟槽；在所述沟槽内掩埋电源线。进行后续工艺。本发明在浅沟槽隔离中预先掩埋电源线，避免了后制程中金属线过于拥挤导致的宽度受限、光刻工艺窗口小、电流短路、散热差等问题，进而缩小了标准单元面积，提高了性能。

技术领域

本发明涉及半导体生产工艺领域，特别涉及一种利用浅槽沟道隔离制造电源线的方法。

背景技术

鳍式场效应晶体管(Fin Field effect transistor，FinFET)是一种互补式金属氧化半导体场效应晶体管，包括垂直型的沟道结构，也称鳍片，鳍片两侧被栅极结构包围，FinFET结构使得器件更小，性能更高，鳍片式半导体器件已被广泛用在存储器和逻辑器件领域中。现有的FinFET制备工艺中，后端金属互连工艺是很重要的一环，其通常采用自对准多图案化(SAxP)同时制作不同电极的金属互连线以及电源线(powerrail)，由于芯片面积有限，因此各金属线的宽度受到限制，并且密度分布过大，容易产生电流短路或散热性能差等问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种利用浅槽沟道隔离制造电源线的方法及其制造的半导体结构，其在浅沟槽隔离中预先掩埋电源线，避免了后制程中金属线过于拥挤导致的宽度受限、电流短路、散热差等问题，进而缩小了标准单元面积，提高了性能。

为了实现以上目的，本发明提供了以下技术方案。

本发明的第一方面提供了一种利用浅槽沟道隔离制造电源线的方法，包括下列步骤：

提供基底，所述基底包括PMOS区域和NMOS区域，所述PMOS区域用于形成PMOS管，所述NMOS区域用于形成NMOS管；

在所述PMOS区域和所述NMOS区域形成鳍片；

在所述鳍片间填充隔离材料，形成浅沟槽隔离；

在所述浅沟槽隔离中刻蚀出沟槽；

在所述沟槽内掩埋电源线。

进行后续工艺。

本发明的第二方面提供了一种半导体结构，其包括：

基底，所述基底包括PMOS区域和NMOS区域；

在所述PMOS区域和所述NMOS区域形成有鳍片；

所述鳍片之间形成有浅沟槽隔离；

所述浅沟槽隔离内掩埋有电源线。

本发明的第三方面提供了上述半导体结构或者采用上述方法制造的结构在半导体器件中的应用，例如存储器、集成电路等。

与现有技术相比，本发明达到了以下技术效果：将电源线(powerrail)挪移至浅沟槽隔离中，解决了现有技术中金属线过于拥挤导致的宽度受限、电流短路、散热差等问题，本发明得到的器件标准单元面积小，电性能更优异。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。

图1至16为本发明提供的利用浅槽沟道隔离制造电源线的方法中各步得到的结构示意图。

具体实施方式