[发明专利]阻抗匹配调节方法、装置、射频电源系统和存储介质有效

专利信息
申请号: 202111618347.9 申请日: 2021-12-27
公开(公告)号: CN114448376B 公开(公告)日: 2023-03-24
发明(设计)人: 乐卫平;林伟群;张桂东 申请(专利权)人: 深圳市恒运昌真空技术有限公司
主分类号: H03H7/38 分类号: H03H7/38;H05H1/24
代理公司: 深圳市辰为知识产权代理事务所(普通合伙) 44719 代理人: 唐文波
地址: 518000 广东省深圳市宝安区西乡街道铁*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阻抗匹配 调节 方法 装置 射频 电源 系统 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种阻抗匹配调节方法,其特征在于,应用于射频电源系统中,包括:

采集射频电源系统中的阻抗匹配网络和负载之间的入射波和反射波;

获取所述入射波和所述反射波之间的幅值差值信号和相角差值信号;

根据所述幅值差值信号和所述相角差值信号生成电容控制信号;

通过所述电容控制信号对所述阻抗匹配网络中的至少一个可调电容的电容值进行调整,其中,所述阻抗匹配网络为中点连接型的X型阻抗匹配网络,所述X型阻抗匹配网络包括多个可调电容,所述阻抗匹配网络被配置为当调节其中的一个可调电容不足以实现阻抗匹配时,再对其它的一个或者多个可调电容值进行调节,直至满足阻抗匹配需求;

基于调整后的所述至少一个可调电容,调节所述阻抗匹配网络的阻抗。

2.根据权利要求1所述的阻抗匹配调节方法,其特征在于,所述X型阻抗匹配网络包括第一可调电容、第二可调电容、第三可调电容、第四可调电容、第一可调电感和第二可调电感,

所述第一可调电感的第一端与所述第一可调电容的第一端连接,所述第一可调电感的第二端与所述第二可调电容的第一端连接,所述第二可调电感的第一端与所述第三可调电容的第一端连接,所述第二可调电感的第二端与所述第四可调电容的第一端连接,所述第一可调电容的第二端、所述第二可调电容的第二端、所述第三可调电容的第二端和所述第四可调电容的第二端分别耦合至连接中点。

3.根据权利要求2所述的阻抗匹配调节方法,其特征在于,基于调整后的所述至少一个可调电容,调节所述阻抗匹配网络的阻抗,包括:

基于调整后的所述第一可调电容、第二可调电容、第三可调电容和第四可调电容,采用第一公式:

其中,j为复阻抗的虚部符号,ω为角频率,ωL是电感的感抗,jωL是电感的复阻抗,ωC是电容的容抗,jωC是电容的复阻抗, L1为第一可调电感的电感值,L2为第二可调电感的电感值,C1为第一可调电容的电容值、C2为第二可调电容的电容值、C3为第三可调电容的电容值和C4为第四可调电容的电容值,ZL为阻抗匹配网络的负载阻抗,Z为阻抗匹配网络的阻抗,以调节所述阻抗匹配网络的阻抗。

4.根据权利要求1所述的阻抗匹配调节方法,其特征在于,所述可调电容包括第一金属层、第二金属层和第三金属层,所述第一金属层和所述第三金属层之间形成第一电容区间,所述第二金属层和所述第三金属层之间形成第二电容区间,所述第一电容区间设有第一介电常数的电介质,所述第二电容区间设有第二介电常数的电介质,其中,所述第二介电常数大于所述第一介电常数;所述可调电容的电容值C=CAB / /CBC,CAB为第一电容区间的电容大小,CBC为第二电容区间的电容大小。

5.根据权利要求1所述的阻抗匹配调节方法,其特征在于,所述电容控制信号为电容控制电压,通过所述电容控制信号对所述阻抗匹配网络中的至少一个可调电容的电容值进行调整,包括:

基于第二公式:C=,采用所述电容控制信号对所述阻抗匹配网络中的至少一个可调电容的电容值进行调整,其中,U为电容控制电压,Q为可调电容的带电量。

6.根据权利要求1所述的阻抗匹配调节方法,在采集射频电源系统中的阻抗匹配网络和负载之间的入射波和反射波之后,以及在获取所述入射波和所述反射波之间的幅值差值信号和相角差值信号之前,所述应用于射频电源的阻抗匹配调节方法还包括:

采用幅相测量芯片判断所述入射波和所述反射波的幅值和相角是否相同;

若所述入射波和所述反射波的幅值和相角不同,则获取所述入射波和所述反射波之间的幅值差值信号和相角差值信号;

若所述入射波和所述反射波的幅值和相角相同,则返回执行采集射频电源系统中的阻抗匹配网络和负载之间的入射波和反射波的步骤。

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