[发明专利]多层电子组件在审
| 申请号： | 202111620002.7 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114678216A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 宋俊日;崔相元;李承熙;辛修玟 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/008 | 分类号： | H01G4/008 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘雪珂;马翠平 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 电子 组件 | ||
1.一种多层电子组件，包括：
主体，包括交替地设置的介电层和内电极；以及
外电极，设置在所述主体上，
其中，至少一个内电极包括：设置在所述内电极与相邻的介电层之间的对应的界面处的第一界面部和第二界面部以及设置在所述第一界面部和所述第二界面部之间的中央部，并且
所述第一界面部的Mn含量高于所述中央部的平均Mn含量，并且高于与所述第一界面部接触的介电层的平均Mn含量。
2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一界面部连续地设置在所述内电极与所述相邻的介电层中的与所述第一界面部接触的介电层之间的整个界面上。
3.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，与所述第一界面部接触的介电层的平均Mn含量高于所述内电极的平均Mn含量。
4.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一界面部的Mn含量大于等于0.035at％且小于等于0.36at％。
5.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一界面部的厚度大于等于5nm且小于等于20nm。
6.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一界面部的厚度大于等于5nm且小于等于10nm。
7.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述内电极利用包含Ni粉末颗粒和Mn氧化物的膏形成，其中，相对于包含在所述膏中的100wt％的所述Ni粉末颗粒，所述Mn氧化物含量为0.01wt％至3wt％。
8.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述中央部包括陶瓷添加剂，并且所述陶瓷添加剂的Mn含量高于与所述第一界面部接触的介电层的平均Mn含量和所述内电极的平均Mn含量。
9.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述内电极利用包含Ni粉末颗粒、Mn氧化物和陶瓷添加剂的膏形成，其中，相对于包含在所述膏中的100wt％的所述Ni粉末颗粒，所述Mn氧化物含量为0.01wt％至3wt％。
10.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述内电极具有0.45μm或更小的平均厚度。
11.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，与所述第一界面部接触的介电层具有0.45μm或更小的平均厚度。
12.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一界面部连续地设置在所述内电极和与所述第一界面部接触的介电层之间的整个界面上，
所述第一界面部的Mn含量大于等于0.035at％且小于等于0.36at％，并且
所述第一界面部的厚度大于等于5nm且小于等于20nm。
13.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一界面部连续地设置在所述内电极和与所述第一界面部接触的介电层之间的整个界面上，
所述第一界面部的Mn含量大于等于0.035at％且小于等于0.36at％，并且
所述第一界面部的厚度大于等于5nm且小于等于10nm。
14.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第二界面部的Mn含量高于所述中央部的平均Mn含量，并且高于与所述第二界面部接触的介电层的平均Mn含量；
所述第二界面部连续地设置在所述内电极和与所述第二界面部接触的介电层之间的整个界面上；
所述第二界面部的Mn含量大于等于0.035at％且小于等于0.36at％，并且所述第二界面部的厚度大于等于5nm且小于等于10nm。
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