[发明专利]可控硅静电防护器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111620027.7 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114883381A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 胡涛 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/74;H01L27/02;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可控硅 静电 防护 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种可控硅静电防护器件，其中，包括：
衬底；
沿横向依次设置于所述衬底上的N型阱区和P型阱区；
依次间隔地设置于所述N型阱区内的第一N+注入区和第一P+注入区，所述第一N+注入区和所述第一P+注入区均与所述可控硅静电防护器件的阳极连接；
依次间隔地设置于所述P型阱区内的第二N+注入区和第二P+注入区，所述第二N+注入区和所述第二P+注入区均与所述可控硅静电防护器件的阴极连接；
跨设在所述N型阱区和所述P型阱区上的第三N+注入区；
与所述第三N+注入区相邻的第三P+注入区，
其中，所述第三N+注入区和所述第三P+注入区的掺杂浓度均高于所述第一N+注入区、所述第一P+注入区、所述第二N+注入区和所述第二P+注入区的掺杂浓度；
且当所述第三N+注入区与所述第三P+注入区构成的PN结结构发生齐纳击穿时，触发可控硅形成电流泄放通路。
2.根据权利要求1所述的可控硅静电防护器件，其中，所述第三N+注入区与所述第三P+注入区之间的间距越小，所述第三N+注入区与所述第三P+注入区所构成的PN结结构的齐纳击穿电压越低。
3.根据权利要求2所述的可控硅静电防护器件，其中，还包括：设置于所述衬底上表面且位于所述第三N+注入区和所述第三P+注入区之间的多晶硅栅，
其中，所述第三N+注入区和所述第三P+注入区之间的间距经由所述多晶硅栅界定。
4.根据权利要求3所述的可控硅静电防护器件，其中，所述第三N+注入区和所述第三P+注入区之间的间距与所述多晶硅栅的宽度相等。
5.根据权利要求3所述的可控硅静电防护器件，其中，所述第三N+注入区、所述多晶硅栅和所述第三P+注入区沿横向依次设置，且所述第三P+注入区位于所述P型阱区内。
6.根据权利要求3所述的可控硅静电防护器件，其中，所述第三N+注入区、所述多晶硅栅和所述第三P+注入区沿纵向依次设置，且所述第三N+注入区、所述多晶硅栅和所述第三P+注入区均跨设在所述N型阱区和所述P型阱区上。
7.根据权利要求6所述的可控硅静电防护器件，其中，所述第三N+注入区和所述第三P+注入区中至少一种注入区的数量为多个，使得纵向设置的所述第三N+注入区与所述第三P+注入区所构成的PN结结构的数量为多个，
且任意相邻的所述第三N+注入区和所述第三P+注入区之间均设置有多晶硅栅。
8.根据权利要求1所述的可控硅静电防护器件，其中，第一N+注入区和所述第一P+注入区之间、所述第一P+注入区和所述第三N+注入区之间、所述第三P+注入区和所述第二N+注入区之间、以及所述第二N+注入区和所述第二P+注入区之间均通过场氧结构或浅沟槽隔离结构进行隔离。
9.一种可控硅静电防护器件的制造方法，其中，包括：
形成衬底；
沿横向依次形成位于所述衬底上的N型阱区和P型阱区；
形成隔离结构；
形成位于所述N型阱区内的第一N+注入区和第一P+注入区；
形成位于所述P型阱区内的第二N+注入区和第二P+注入区；
形成跨设在所述N型阱区和所述P型阱区上的第三N+注入区以及与所述第三N+注入区相邻的第三P+注入区，
其中，所述第三N+注入区和所述第三P+注入区的掺杂浓度均高于所述第一N+注入区、所述第一P+注入区、所述第二N+注入区和所述第二P+注入区的掺杂浓度。
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