[发明专利]一种彩膜基板的制备方法、彩膜基板及显示面板在审

专利信息
申请号: 202111620639.6 申请日: 2021-12-28
公开(公告)号: CN114280838A 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: 陈都 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 莫胜钧
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 彩膜基板 制备 方法 显示 面板
【说明书】:

发明涉及一种彩膜基板的制备方法、彩膜基板及显示面板。本发明在基板远离所述第一光刻胶的一侧设置第一掩模板,在第一掩模板远离所述第一光刻胶的一侧设置曝光机,在基板和掩模板的位置未发生偏差时,利用遮光层对光线进行阻挡,防止光线照射遮光层上方的第一光刻胶,保证只有第一通孔内的第一光刻胶被照射,使得最终形成的第一色阻单元嵌合于所述第一通孔内,防止第一色阻单元覆盖于遮光层上,提升第一色阻单元的平坦度,提升显示面板的显示效果。

技术领域

本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种彩膜基板的制备方法、彩膜基板及显示面板。

背景技术

随着薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)技术的发展,其成本的降低和制造工艺的进一步完善,使其成为平板显示领域的主流技术。TFT-LCD由阵列基板和彩膜基板对盒而成。

如图1、图2所示,目前的彩膜基板的制备过程中,大多将掩模板100’和基板200’通过对位标识位置矫正对位后,利用曝光机发射光线,光线穿过掩模板100’照射至基板200’上的光刻胶300’,然后经过显影形成色阻单元500’。

如图1、图2所示,目前的正面曝光工艺中,部分位于BM 400’上的光刻胶300’也会被照射到,后期形成的色阻单元500’会延伸覆盖于BM 400’上,由此将导致色阻单元500’的平坦度较差,严重时会引发显示面板的显示不良。

如图3、图4所示,在目前的制备工艺中,曝光机出射的光照射掩模板100’和基板200’,会导致掩模板100’和基板200’的温度升高,进而导致掩模板100’和基板200’产生膨胀,掩模板100’和基板200’的膨胀系数不同,掩模板100’和基板200’的受热面积不同等因素将导致掩模板100’和基板200’的位置产生偏差。而且,目前的对位精度一般控制在3-5以内,导致掩模板100’和基板200’的位置产生偏差。当掩模板100’和基板200’的位置产生偏差时,容易导致BM 400’之间的部分光刻胶300’未被照射到,最终导致形成的色阻单元500’没有完全覆盖BM 400’之间的间隙,发生漏光现象。现有技术一般增大掩模板100’的透光孔的尺寸以避免漏光现象,但是该方法将导致色阻单元500’覆盖到BM 400’上,进而导致色阻单元500’平坦度较差,引发显示不良。

发明内容

本发明的目的是提供一种彩膜基板的制备方法、彩膜基板及显示面板,其能够解决现有技术中存在的平坦度差、漏光等问题。

为了解决上述问题,本发明提供了一种彩膜基板的制备方法,其包括以下步骤:在一基板上制备遮光层;在所述遮光层上形成至少一个第一通孔、至少一个第二通孔以及至少一个第三通孔;在所述遮光层以及所述第一通孔内制备第一光刻胶;曝光光源的光线透过位于所述基板与所述曝光光源之间的第一掩模板的第一透光孔从所述基板远离所述第一光刻胶的一侧对所述第一通孔内的所述第一光刻胶进行曝光;去除所述第一通孔之外的区域的所述第一光刻胶,保留位于所述第一通孔内的所述第一光刻胶,形成第一色阻单元。

进一步的,所述的彩膜基板的制备方法还包括以下步骤:在所述遮光层以及所述第二通孔内制备第二光刻胶;所述曝光光源的光线透过位于所述基板与所述曝光光源之间的第二掩模板的第二透光孔从所述基板远离所述第二光刻胶的一侧对所述第二通孔内的所述第二光刻胶进行曝光;去除所述第二通孔之外的区域的所述第二光刻胶,保留位于所述第二通孔内的所述第二光刻胶,形成第二色阻单元。

进一步的,所述的彩膜基板的制备方法还包括以下步骤:在所述遮光层以及所述第三通孔内制备第三光刻胶;所述曝光光源的光线透过位于所述基板与所述曝光光源之间的第三掩模板的第三透光孔从所述基板远离所述第三光刻胶的一侧对所述第三通孔内的所述第三光刻胶进行曝光;去除所述第三通孔之外的区域的所述第三光刻胶,保留位于所述第三通孔内的所述第三光刻胶,形成第三色阻单元。

进一步的,所述第一光刻胶、第二光刻胶以及第三光刻胶均为负性光刻胶。

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