[发明专利]一种系统封装模块半孔披锋加工改善方法、封装板及应用在审
申请号: | 202111621380.7 | 申请日: | 2021-12-23 |
公开(公告)号: | CN114269080A | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 李清春;杨鹏飞;胡玉春;卢赛辉 | 申请(专利权)人: | 珠海中京电子电路有限公司 |
主分类号: | H05K3/06 | 分类号: | H05K3/06;H05K3/42;H05K3/00;H05K3/28;C25D5/02;C25D3/32;C25D5/48 |
代理公司: | 广东普润知识产权代理有限公司 44804 | 代理人: | 彭海民 |
地址: | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 系统 封装 模块 半孔披锋 加工 改善 方法 应用 | ||
本发明属于SIP模块板半孔镀锡处理技术领域,公开了一种系统封装模块半孔披锋加工改善方法、封装板及应用。在线宽线距3/mil以内的精细线路半孔模块板调整流程,使得半孔孔壁和孔环用镀锡保护,其他位置采用干膜保护,然后经碱性蚀刻,从根源上解决半孔孔壁披锋问题,避免半孔披锋人工修理成本,以及修理不良造成孔铜剥离或不良板流失到客户端造成更高报废。本发明有效解决了5G系统封装模块板的半孔孔壁披锋问题,主要为外层含精细线路的半孔HDI产品。本发明在碱性蚀刻时,半孔孔壁和孔环有锡保护,板面其他位置有干膜保护,所以碱性蚀刻可有效去除披锋,且不对其他位置造成不良过程影响。
技术领域
本发明属于SIP模块板半孔镀锡处理技术领域,公开了一种系统封装模块半孔披锋加工改善方法、5G系统封装板、信息处理终端及应用。
背景技术
目前,根据外层线路等级设计,主流技术按照3种流程制作:
(1)外层线宽线距≥3/3mil,采用正片镀锡保护半孔,捞半孔后碱性蚀刻;制作流程:前工序(开料到最后一次压合的所有流程)、钻孔(含盲孔设计的要先镭射再钻孔)、电镀(有盲孔的要填孔)、外层图形、图电、捞半孔、外层线路(碱性蚀刻,半孔披锋在该工序去除)、防焊、文字、表面处理、后工序。
(2)外层线宽线距<3/3mil,超出正片流程的制程能力要求,只能采用负片制作,此流程半孔未进行蚀刻,所以在捞半孔流程造成的孔壁毛刺和披锋会残留下来,造成焊锡短路等不良问题;制作流程:前工序(开料到最后一次压合的所有流程)、钻孔(含盲孔设计的要先镭射再钻孔)、电镀(有盲孔的要填孔)、外层线路、防焊、文字、捞半孔(半孔披锋残留严重,需要双刃捞刀加工,有一定改善)、表面处理、后工序。
(3)此方法是对方法2的改良,在捞半孔前采用选化油墨塞孔和表面覆盖,成型捞完半孔再过蚀刻线,快速蚀刻去除孔壁毛刺和披锋;制作流程:前工序(开料到最后一次压合的所有流程)、钻孔(含盲孔设计的要先镭射再钻孔)、电镀(有盲孔的要填孔)、外层线路、防焊、印刷选镀油、捞半孔、酸性蚀刻(可去除披锋,但部分孔壁选化油墨未能100%覆盖,蚀刻会有点状孔破)、文字、表面处理、后工序。
通过上述分析,现有技术存在的问题及缺陷为:(1)方法1只能针对传统低端半孔模块板,主要是2-4GSIP应用,I/O数量较少,线宽线距3/3mil以上;(2)方法2无法在根源上去除半孔孔壁披锋;(3)方法3无法解决半孔孔壁点状孔破问题。
解决以上问题及缺陷的难度为:精细线路的SIP模块板,为满足线路制程能力,必须采用负片流程,但负片流程的缺点是,半孔孔壁披锋采用成型方式捞,由于孔壁电镀铜具有很好的延展性和柔软特性,在成型捞半孔过程中会有细小的孔壁铜皮不能有效去除,称为披锋,一旦披锋长度较长,会在焊锡过程造成半孔之间网络短路。目前采用选化油墨塞孔和表面覆盖,成型捞半孔后再过蚀刻线,快速蚀刻去除孔壁毛刺和披锋,但部分孔壁选化油墨未100%覆盖,蚀刻会有点状孔破。
解决以上问题及缺陷的意义为:本发明创新性借鉴半孔板正片流程的精髓,使得精细线路优先采用负片流程蚀刻出来,同时完成防焊和文字,线路制程不再受正片制程能力的限制,然后再结合正片制程,通过图电镀锡、捞半孔、碱性蚀刻流程解决半孔披锋问题。
5GSIP模块板内外层均为2到2.5mil线宽线距,超出碱性蚀刻方式的线路能力。无法采用方法1的流程制作,本发明借鉴方法1的思路,在防焊完成以后只在半孔孔内和孔环上镀锡5-10um,作为半孔蚀刻保护剂,半孔以外的其他位置采用干膜作蚀刻保护。制作流程和PCB板边需要做一些调整,使得线路蚀刻后半孔孔壁和孔环能导电,并在图电镀锡缸里完成5-10um镀锡制程。然后成型进行捞半孔作业,最后再碱性蚀刻,半孔孔壁和孔环有锡保护,板面其他位置有干膜保护,所以碱性蚀刻可有效去除披锋,且不对其他位置造成不良过程影响。
发明内容
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海中京电子电路有限公司,未经珠海中京电子电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111621380.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。