[发明专利]一种方形半导体激光器叠阵系统及其装配方法在审

专利信息
申请号: 202111625317.0 申请日: 2021-12-28
公开(公告)号: CN116365354A 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 开北超;吴凯;李韦清;夏伟;付传尚 申请(专利权)人: 山东华光光电子股份有限公司
主分类号: H01S5/02315 分类号: H01S5/02315;H01S5/024;H01S5/40;B07C5/342
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 代理人: 郎彼得
地址: 250101 山东省济*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 方形 半导体激光器 系统 及其 装配 方法
【说明书】:

本发明涉及一种方形半导体激光器叠阵系统及其装配方法,属于半导体激光器叠阵封装技术领域。系统包括半导体激光器侧泵单元,半导体激光器侧泵单元组合为叠阵系统,半导体激光器侧泵单元包括方形热沉、次级热沉和半导体激光器,方形热沉内设置有凹槽,凹槽内设置有次级热沉,次级热沉上设置有半导体激光器。本发明利用巴条波长随温度的变化关系,在室温下筛选具有梯度波长的巴条进行半导体激光器叠阵封装,再根据具体的应用需求将其装配成叠阵系统,使叠阵系统的泵浦效率、灵活性和稳定性显著提高。

技术领域

本发明涉及一种方形半导体激光器叠阵系统及其装配方法,属于半导体激光器叠阵封装技术领域。

背景技术

半导体激光器叠阵具有体积小、效率高、可靠性高等优点,已经广泛地应用于Nd:YAG、Nd:YVO4、Yb:YAG、Tm:YAG等常见固体激光器的泵浦领域,Nd:YAG、Nd:YVO4等晶体在808nm达到吸收峰值,Yb:YAG晶体在940nm达到吸收峰值,Tm:YAG晶体在783nm达到吸收峰值;YAG晶体、YVO4晶体作为增益介质,产生1030nm-1064nm的激光,广泛应用与医疗、材料加工、军事等领域,通常晶体的尺寸较小,吸收带宽较窄,约为3nm,对泵源的波长要求、体积要求及可靠性要求较高,若泵源分布不均匀,会导致泵浦效率降低。

侧面泵浦指的是泵源围绕晶体棒一周提供稳定的光源,常见的有正三角、正五角、正七角等分布于晶体棒周围的结构,中国专利CN102570267A和CN101834402B所公开的半导体激光器侧泵模块,均采用了上述结构。随着全固态激光器在工业、医疗、军事等领域的应用需求越来越多,这对半导体激光器泵浦源也提出了更高的要求。

此外,传统侧泵模块的半导体激光器只能满足单一的泵浦需求,在多需求的应用中缺少灵活性,不利于模块的产业化,后期维护更换也较为复杂。

发明内容

针对现有技术的不足,本发明提供一种方形半导体激光器叠阵系统,利用巴条波长随温度的变化关系,在室温下筛选具有梯度波长的巴条进行半导体激光器叠阵封装,再根据具体的应用需求将其装配成叠阵系统。

本发明还提供上述方形半导体激光器叠阵系统的装配方法。

术语解释:

晶体:常见的用于固体激光器的Nd:YAG、Nd:YVO4、Yb:YAG、Tm:YAG晶体,通常为圆柱状。

吸收峰值:指晶体在某一吸收波段达到转换效率的最高点。

激光巴条:用于封装半导体激光器泵源的激光芯片。

本发明的技术方案如下:

一种方形半导体激光器叠阵系统,包括半导体激光器侧泵单元,半导体激光器侧泵单元组合为叠阵系统,半导体激光器侧泵单元包括方形热沉、次级热沉和半导体激光器,方形热沉内设置有凹槽,凹槽内设置有次级热沉,次级热沉上设置有半导体激光器。

优选的,凹槽为多边形凹槽,多边形凹槽内壁上均布设置有次级热沉。

优选的,半导体激光器包括激光巴条、钨铜热沉、电极压片、电极片、绝缘片和热沉底座,热沉底座两侧分别设置有电极片,热沉底座顶端均布设置有钨铜热沉,钨铜热沉和电极片与热沉底座之间均设置有绝缘片,钨铜热沉之间设置有激光巴条,电极片上设置有电极压片,通过电极压片为激光巴条供电。

进一步优选的,电极片上设置有固定孔,相邻半导体激光器之间在固定孔上固定安装连接电极,通过连接电极实现半导体激光器的通电连接。

优选的,方形热沉一侧设置有电极槽,电极槽内设置有通电电极,通电电极为L型,通过电极槽内放置通电电极,实现叠加的半导体激光器通电。

优选的,凹槽边侧外的方形热沉上均设置有通水孔,保证良好的散热性。

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