[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一体区，设置在所述衬底上表面；

漂移区，设置在所述衬底上表面；

第一源掺杂区，设置在所述第一体区上表面；

第一栅极结构，设置在所述衬底上，由所述第一源掺杂区延伸至所述漂移区；

层间介质层，设置在所述漂移区上；

漏电极结构，穿过所述层间介质层连接至所述漂移区，

其中，所述漂移区上还包括金属硅化物，所述漏电极结构包括第一导电柱和第二导电柱，所述第一导电柱连接至所述金属硅化物，所述第二导电柱连接至所述漂移区上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一导电柱和所述第二导电柱的结构一致，且均包括依次层叠设置的金属垫层和导电柱。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

所述金属垫层依次层叠设置的钛层和氮化钛层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，

所述金属垫层的钛层的厚度为200埃至400埃。

5.根据权利要求3或4所述的半导体器件，其中，

所述金属垫层的氮化钛层的厚度为50埃至100埃。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，

所述第一导电柱和所述第二导电柱为钨导电柱。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，还包括：

第二体区，设置在所述衬底上，且所述第二体区与所述第一体区分别位于所述漂移区的两侧；

第二源掺杂区，设置在所述第二体区上表面；

第二栅极结构，设置在所述衬底上，且由所述第二源掺杂区延伸至所述漂移区。

8.一种半导体器件的制造方法，包括：

在半导体衬底上形成体区和漂移区；

在所述体区中形成源掺杂区；

在所述源掺杂区至所述漂移区之间上形成栅极结构；

在所述漂移区上形成金属硅化物区；

在所述半导体衬底上淀积层间介质层；

刻蚀所述层间介质层，获得第一刻蚀孔和第二刻蚀孔，所述第一刻蚀孔连通至所述金属硅化物区，所述第二刻蚀孔连通至所述漂移区；

在所述第一刻蚀孔和所述第二刻蚀孔中淀积导电材料，获得包括第一导电柱和第二导电柱的漏电极。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述第一刻蚀孔和所述第二刻蚀孔中淀积导电材料的步骤包括：

在所述第一刻蚀孔和所述第二刻蚀孔中依次淀积金属材料，获得依次层叠的金属垫层和导电柱。

10.根据权利要求9所述的半导体器件在制造方法，其中，

所述金属垫层包括依次层叠的钛层和氮化钛层。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述钛层的厚度为200埃至400埃。

12.根据权利要求10或11所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述氮化钛层的厚度为50埃至100埃。

13.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述导电柱为钨导电柱。

14.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述体区包括第一体区和第二体区，且所述漂移区位于所述第一体区与所述第二体区之间。