[发明专利]一种提高掺杂氧化铪薄膜铁电器件性能的方法在审
| 申请号： | 202111625742.X | 申请日： | 2021-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN114497368A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 罗庆;王博平 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/11502 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 史晶晶 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 掺杂 氧化 薄膜 器件 性能 方法 | ||
1.一种提高掺杂氧化铪薄膜铁电器件性能的方法，其特征在于，包括下列步骤：
在半导体衬底上生长底电极；
在所述底电极上生长掺杂氧化铪薄膜；
在掺杂氧化铪薄膜表面先利用ALD法生长第一层氮化钛；
利用PVD法在第一层氮化钛表面继续生长第二层氮化钛，形成上电极。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，ALD法生长氮化钛的温度为300～400℃。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，ALD法生长氮化钛的温度为350℃。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，ALD法生长氮化钛采用氯化钛作为前驱体，反应气体为氨气。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，PVD法生长剩余氮化钛的条件为：
离子束能量为750～850eV，电流值为40-50mA。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，PVD法生长剩余氮化钛的条件为：
离子束能量为800eV，电流值为46mA。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成上电极后还还包括：500～550℃于N2氛围下快速热退火20s～30s。
8.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，所述掺杂氧化铪薄膜为锆掺杂的氧化铪薄膜，且铪与锆等摩尔比。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，采用ALD法生长所述掺杂氧化铪薄膜，生长条件为：260～300℃，前驱体分别为Hf[N(C2H5)CH3]4和Zr[N(C2H5)CH3]4，氧源为H2O。
10.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述底电极为氮化钛，利用PVD法生长所述底电极。
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