[发明专利]电池、电池的制备方法和光伏组件

权利要求书

1.一种电池，其特征在于，包括：

硅衬底，所述硅衬底具有正面和背面，所述正面设置有绒面，所述背面设置有绒面区和光面区，所述绒面区相对所述光面区凹陷设置；

第一非晶硅层和第二非晶硅层，所述第一非晶硅层包括：第一本征非晶硅层和第一掺杂非晶硅层，所述第一本征非晶硅层设置于所述硅衬底的正面，所述第一掺杂非晶硅层设置于所述第一本征非晶硅层的正面，所述第二非晶硅层包括：第二本征非晶硅层和第二掺杂非晶硅层，所述第二本征非晶硅层设置于所述硅衬底的背面，所述第二掺杂非晶硅层设置于所述第二本征非晶硅层的背面；

第一透明导电膜层和第二透明导电膜层，所述第一透明导电膜层设置于所述第一非晶硅层的正面，所述第二透明导电膜层设置于所述第二非晶硅层的背面；以及

第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极设置于所述第一透明导电膜层的正面，所述第二金属电极设置于所述第二透明导电膜层的背面，所述第二金属电极包括：主栅线，所述主栅线设置于所述绒面区。

2.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，所述第一透明导电膜层为ITO层，所述第二透明导电膜层为ITO层。

3.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，所述主栅线对应的所述绒面区的宽度为d1，所述主栅线的宽度为d2，d1和d2满足关系式：100um≤d1≤2000um，50um≤d2≤1000um。

4.根据权利要求3所述的电池，其特征在于，d2满足关系式：50um≤d2≤300um。

5.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，所述主栅线对应的所述绒面区的宽度和所述主栅线的宽度差值为△d1，△d1满足关系式：△d1＞40um。

6.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，所述第二金属电极还包括：副栅线，所述副栅线与所述主栅线相连接，所述副栅线设置于所述绒面区。

7.根据权利要求6所述的电池，其特征在于，所述绒面区包括：多个第一子绒面区和多个第二子绒面区，多个所述第一子绒面区在第一方向上间隔分布且多个所述第二子绒面区在与所述第一方向垂直的第二方向上间隔分布，相邻的所述第一子绒面区和所述第二子绒面区之间设置有所述光面区，所述主栅线和所述副栅线均为多个，多个所述主栅线设置于所述第一子绒面区，多个所述副栅线设置于所述第二子绒面区。

8.根据权利要求7所述的电池，其特征在于，所述第二子绒面区的宽度大于所述副栅线的宽度。

9.根据权利要求8所述的电池，其特征在于，所述第二子绒面区的宽度为d3，所述副栅线的宽度为d4，d3和d4满足关系式：80um≤d3≤300um，20um≤d4≤60um。

10.根据权利要求7所述的电池，其特征在于，所述第二子绒面区和所述副栅线的宽度差值为△d2，△d2满足关系式：△d2＞40um。

11.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，所述光面区所在平面的高度与所述绒面区的顶部差值为h1，h1满足关系式：1um≤h1≤5um。

12.一种权利要求1-11中任一项所述的电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

选择硅衬底，并在所述硅衬底的正面和背面抛光，形成光面；

将所述硅衬底的正面和背面氧化，形成氧化层；

将所述硅衬底正面上的所述氧化层去除；

在所述硅衬底背面进行激光开窗；

在所述硅衬底正面和所述硅衬底背面激光开窗的区域制绒，形成绒面区；

将所述硅衬底正面和背面上的剩余所述氧化层去除，在所述硅衬底的背面形成绒面区和所述光面区；

在所述硅衬底的正面和背面分别沉积非晶硅层和透明导电膜层；

在所述硅衬底正面和背面的所述透明导电膜层上印刷金属电极，对应所述硅衬底背面的所述金属电极的主栅线印刷在所述绒面区。