[发明专利]电池、电池的制备方法和光伏组件在审
申请号: | 202111626218.4 | 申请日: | 2021-12-28 |
公开(公告)号: | CN116364792A | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 李硕;李兵;吴坚;蒋方丹 | 申请(专利权)人: | 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/20 |
代理公司: | 北京景闻知识产权代理有限公司 11742 | 代理人: | 贾玉姣 |
地址: | 314000 浙江省嘉兴市秀*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池 制备 方法 组件 | ||
本发明公开了一种电池、电池的制备方法和光伏组件,电池包括:硅衬底,硅衬底正面设置有绒面,背面设置有绒面区和光面区,绒面区相对光面区凹陷设置;第一非晶硅层和第二非晶硅层;第一透明导电膜层和第二透明导电膜层,第一透明导电膜层设置于第一非晶硅层正面,第二透明导电膜层设置于第二非晶硅层背面;第二金属电极,第二金属电极设置于第二透明导电膜层背面,第二金属电极包括:主栅线,主栅线设置于绒面区。绒面区可以增强硅衬底的附着力,提升主栅线与硅衬底之间的连接强度,向焊带施加拉力后,焊带不易将第二金属电极拉脱落,可以提升电池整体的可靠性。
技术领域
本发明涉及电池技术领域,尤其是涉及一种电池、电池的制备方法和光伏组件。
背景技术
目前,传统的异质结电池是双面绒面结构,其制作流程包括制绒、PECVD(等离子体增强化学的气相沉积法)镀非晶硅层、PVD(物理气相沉积)镀透明导电膜层、丝网印刷和测试分选五个步骤,工艺流程简单,良率高,逐渐成为未来商业电池发展的主力。得益于良好的表面钝化与高导电性能的透明导电膜层,异质结电池具有高开压,高填充的特性,但是受限于透明导电膜层与非晶硅层的高吸收,以及背面绒面内反射低的特性,电流低对于异质结电池提效的影响越来越大。
相关技术中,将异质结电池背面制作成光面区,提高光的内反射率,增强硅衬底对长波的吸收,从而提升电池电流。但是,抛光的硅衬底表面过于平坦,丝网印刷形成的金属电极与硅衬底表面的接触面积小,附着力小,造成金属电极与透明导电膜层间的接触电阻率大,而且金属电极与透明导电膜层的附着力因表面粗糙度的减小而减弱,给焊带施加拉力后,焊带会带着金属电极从电池表面脱落,从而使焊带拉力小,影响电池性能与封装后电池的可靠性。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提出了一种电池,该电池可以提升主栅线与硅衬底之间的连接强度,焊带不易将第二金属电极从硅衬底上拉脱落,提升电池整体的可靠性。
本发明进一步地提出了一种电池的制备方法。
本发明还进一步地提出了一种光伏组件。
根据本发明的电池,包括:硅衬底,所述硅衬底具有正面和背面,所述正面设置有绒面,所述背面设置有绒面区和光面区,所述绒面区相对所述光面区凹陷设置;第一非晶硅层和第二非晶硅层,所述第一非晶硅层包括:第一本征非晶硅层和第一掺杂非晶硅层,所述第一本征非晶硅层设置于所述硅衬底的正面,所述第一掺杂非晶硅层设置于所述第一本征非晶硅层的正面,所述第二非晶硅层包括:第二本征非晶硅层和第二掺杂非晶硅层,所述第二本征非晶硅层设置于所述硅衬底的背面,所述第二掺杂非晶硅层设置于所述第二本征非晶硅层的背面;第一透明导电膜层和第二透明导电膜层,所述第一透明导电膜层设置于所述第一非晶硅层的正面,所述第二透明导电膜层设置于所述第二非晶硅层的背面;以及第一金属电极和第二金属电极,所述第一金属电极设置于所述第一透明导电膜层的正面,所述第二金属电极设置于所述第二透明导电膜层的背面,所述第二金属电极包括:主栅线,所述主栅线设置于所述绒面区。
根据本发明的电池,将主栅线设置于绒面区,而绒面区可以增强硅衬底的附着力,从而可以提升主栅线与硅衬底之间的连接强度,又主栅线与焊带之间存在连接关系,在向焊带施加拉力后,焊带不易将第二金属电极从硅衬底上拉脱落,进而可以提升电池整体的可靠性。
在本发明的一些示例中,所述第一透明导电膜层为ITO层,所述第二透明导电膜层为ITO层。
在本发明的一些示例中,所述主栅线对应的所述绒面区的宽度为d1,所述主栅线的宽度为d2,d1和d2满足关系式:100um≤d1≤2000um,50um≤d2≤1000um。
在本发明的一些示例中,d2满足关系式:50um≤d2≤300um。
在本发明的一些示例中,所述主栅线对应的所述绒面区的宽度和所述主栅线的宽度差值为△d1,△d1满足关系式:△d1>40um。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的