[发明专利]一种高电阻率的复合衬底及其制备方法

权利要求书

1.一种高电阻率的复合衬底制备方法，其特征在于，包括：

对硅衬底表面进行等离子体处理；

将等离子体处理后的硅衬底置于含有水分的环境中，形成表面吸附有水分子的硅衬底层；

在吸附有水分子的硅衬底表面上制备多晶硅层，在硅衬底层与多晶硅层之间生成介质层，获得复合衬底。

2.根据权利要求1所述的一种高电阻率的复合衬底制备方法，其特征在于，对复合衬底进行退火处理，所述退火处理的温度为900～1100℃。

3.根据权利要求1所述的一种高电阻率的复合衬底制备方法，其特征在于，所述等离子体为氩、氮或氢。

4.根据权利要求1所述的一种高电阻率的复合衬底制备方法，其特征在于，所述介质层为非晶态，所述介质层的材质为氧化硅，所述介质层的厚度为0.5nm～20nm。

5.根据权利要求1所述的一种高电阻率的复合衬底制备方法，其特征在于，所述多晶硅层的电阻率大于5000Ω﹒cm，所述硅衬底与多晶硅层之间的电阻率大于5000Ω﹒cm。

6.根据权利要求1所述的一种高电阻率的复合衬底制备方法，其特征在于，还包括：

在所述多晶硅层上制备绝缘层，所述绝缘层为二氧化硅、氮氧化硅或氮化硅。

7.根据权利要求6所述的一种高电阻率的复合衬底制备方法，其特征在于，在所述多晶硅层上制备绝缘层的步骤包括：

对多晶硅层进行氧化处理，得到绝缘层，所述氧化温度为900～1000℃；其中，所述多晶硅中远离衬底的部分被氧化生成二氧化硅层；多晶硅层中靠近衬底未被氧化的部分仍为多晶硅层；其中，所述绝缘层的材质为二氧化硅。

8.根据权利要求1所述的一种高电阻率的复合衬底制备方法，其特征在于，还包括：

在所述绝缘层上制备有源层，获得复合衬底；其中，所述有源层为铌酸锂、钽酸锂、陶瓷、四硼酸锂或硅。

9.一种高电阻率的复合衬底，其特征在于，根据权利要求1-8任一项所述方法制备而成。

10.一种电子元器件，其特征在于，所述电子元器件包括权利要求9所述的复合衬底。